晶圆应力双折射测量仪可测8英寸Wafer、蓝宝石、SiC晶圆等结晶缺陷的评估 蓝宝石或SiC等透明晶圆的结晶缺陷，会直接影响到产品的性能，所以缺陷的检测和管理，是制造过程中不可欠缺的重要环节。目前为止，产线上的缺陷管理，多是使用偏光片，以目视方式进行缺陷检测，但是，这样的检查方式，因无法将缺陷量化，当各批量间产生变动或者缺陷密度缓慢增加时，就无法以目视检查的方式正确找出缺陷。

晶圆应力双折射测量仪PA-110-T将特殊的高速偏光感应器与XY stage 结合起来， 8英寸晶圆仅需5分钟，即可取得整面的双折射分布资料。

所以由定量化的结晶缺陷评估，提高双折射品质的稳定性。

Wafer整面的双折射数据，可将结晶缺陷程度数值化。

特点：

1，XY自动Stage 拼贴功能

针对大尺寸的Wafer 数据，以拼贴方式自动合成。

2，使用大口径远心镜头

以垂直光线进行测量，因不受视角影响，连周边区域都可高精度测量。

测量原理

当光线穿透双折射特性的透明物质时，光的偏光状态会产生变化（光弹性效应）。换句话说，比较光穿透透明物体前与后的偏光状态，即可评估物质的双折射。

该设备装配的偏光感应器，使用了本司*的Photonic结晶组装而成， 能瞬间将偏光信息以影像方式保存，再搭配专属的演算，影像处理软件，能将双折射分布数据定量化，使得分析变得更加便利。

可观察的晶圆尺寸与贴合影响。

自动影响贴合功能，可观察8英寸Wafer。

φ 8 inch（4×5）

PA-110-T 规格：