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PHI GENESIS 900 PHI 硬X射线光电子能谱仪

型号
PHI GENESIS 900
参数
价格区间:面议 仪器种类:进口 应用领域:化工,地矿,能源,电子,综合
高德英特(北京)科技有限公司

高级会员8年 

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PHI X射线光电子能谱仪

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表面分析仪器

PHI (China) Limited 高德英特(北京)科技有限公司(以下简称"高德")2010年在北京成立。高德公司秉承"为一.流的商业产品提供顶级的创新市场营销、售后服务和技术应用支持"的服务理念,为全.亚洲的客户提供服务和支援。

高德作为 ULVAC-PHI 在中国地区提供销售及售后服务的唯.一公司,产品主要集中在表面分析仪器,包括XPSAESTOF-SIMS,同时也提供EllipsometerMBEALD等设备。高德可为客户提供从产品策略性营销规划到产品应用及售后服务的完整解决方案。

高德凭借为客户提供业界最佳的产品和服务来为客户赋能,从而帮助客户创造最大价值。高德目前在中国地区已经建立起全.方位销售网络,销售合作伙伴遍布全国,客户包括国内知.名高校、科研院所以及高新技术企业等。高德技术人员皆具备多年使用超高真空和精密电子分析仪器的经验,售后服务网点和人员分布于全国各大区域,可在第一时间为客户提供及时、高效、完善的支持服务。

 

详细信息

无需溅射刻蚀的深度探索

下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs),结合使用XPS(A1 Ka X射线) HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析,可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。XPS HAXPES 的结合使用,可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析,从而避免离子束溅射引起的损伤。

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深层界面的分析

在两种x射线源中,只有 Cr Ka XPS 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外,通过比较,光电子起飞角 90°30° Cr Ka谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时,氧化物的强度较高,表明 Cr 氧化物处于 Y,0, Cr 层之间的界面。

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内核电子的探测

Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子,通常有多个额外的跃迁可用于分析。

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应用领域

主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。

用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料,其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHIInc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪,具有优秀性能、高自动化和灵活的扩展能力,可以满足客户的所有分析需求。


PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用

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产品参数

价格区间 面议
仪器种类 进口
应用领域 化工,地矿,能源,电子,综合
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