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非接触式:渦電流法測定-napson手持式涡流法电阻测量仪

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2020/11/23 10:29:33

在这里,我们将介绍非接触式(涡流法)电阻测量原理的概况(该原理的详细说明在材料中)。

(*在我们的产品中,根据电阻范围,还有另一种非接触式电阻测量方法系统。。此外,关于非接触式测量原理,除了涡流方法外,但很抱歉给您带来麻烦请联系我们)

 

涡流法主要用于非接触式,可测量1E-3(1m)至1E + 4(10k)Ω/□电阻范围。

它可用于半导体,化合物半导体,液晶和新型碳基材料等广泛领域的测量。

涡流测量系统使用电磁感应产生的涡流来测量电阻。

非接触式测量探头单元的探头芯(磁性材料)在两侧(上下)以一定的间隙排列。

 

<非接触式测量探头单元的结构>

●在涡流法中,按照以下步骤进行测量。

(1)当在探针芯之间施加高频以产生磁通量并且插入样本时,样本中产生涡流。

(2)此时,(1)涡电流流过样品→(2)样品中消耗了电流,发生了功率损耗。

 →③电路中的电流成比例降低。检测该减小的电流值。

(3)由于检测到的电流值与样品的电阻成反比关系,请使用此值。

 座电阻或电阻是从电流值和座电阻的校准曲线(计算公式)得出的。

  (*计算电阻时需要样品厚度信息)

 

 

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

 

 

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探头类型的总范围)

 

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联系)

测量尺寸

无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

 

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探头类型的总范围)

 

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)

日本napson手持式探针无损涡流法电阻测量仪

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