忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器 (RRAM)。
忆阻器备受关注的重要应用领域包括：非易失存储 (Nonvolatile memory)，逻辑运算 (Logiccomputing)，以及类脑神经形态计算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等。这三种截然 不同又相互关联的技术路线，为发展信息存储与处理融合的新型计算体系架构，突破传统冯 • 诺伊曼架构瓶颈，提供了可行的路线。
在忆阻器研究不断取得新成果的同时，基于忆阻器的多功能耦合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括： 磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁电耦合器件等。
