技术文章

快速退火炉在化合物半导体上的应用(RTP SYSTEM)

东莞市晟鼎精密仪器有限公司

2023/9/21 10:37:53

前言

碳化硅(SiC)是制作半导体器件及材料的理想材料之一,但其在工艺过程中,会不可避免的产生晶格缺陷等问题,而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域,快速退火发挥着无法取代的作用。


01快速退火在化合物半导体上的应用

碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点,在半导体领域具有广泛的应用前景。

由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成,这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如,在掺杂步骤中,传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂,但由于碳化硅扩散温度远高于硅,所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构,因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤,消除或减轻晶体应力和缺陷,提高结晶质量。

退火工艺处理前后对比

*退火工艺处理前后对比(图源:网络)


02什么是快速退火炉(RTP SYSTEM)

快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源,通过极快的升温速率,将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃,从而消除材料内部的一些缺陷,改善产品性能。

*图源:网络


03快速退火炉产品介绍


全自动双腔快速退火炉

RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备,可兼容6-8英寸晶圆Wafer。

全自动双腔快速退火炉

产品优势

✅全自动双腔设计,有效提升产能

✅温度可达1250℃,具有超高温场均匀性

✅具备稳定的温度重现性

✅能够满足SIC量产化制程需求


半自动快速退火炉

RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,可兼容4-12英寸晶圆Wafer。

半自动快速退火炉

产品优势

✅采用红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;

✅快速PID温控,可控制温度升温,保证良好的重现性和温度均匀性;

✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;

✅大气与真空处理方式均可选择,实现进气前气体净化处理;

✅标配两组工艺气体,可扩展至6组工艺气体。


桌面型快速退火炉

RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备,标配三组工艺气体,可兼容6英寸晶圆Wafer。

桌面型快速退火炉

产品优势

✅红外卤素灯管加热,冷却采用风冷;

✅采用快速PID温控,可控制温度升温,保证良好的重现性和温度均匀性;

✅采用平行气路进气方式,气体进出口设置在晶圆表面,避免退火过程中冷点产生,保证良好的温度均匀性;

✅大气与真空处理方式均可选择,实现进气前气体净化处理。


相关产品

猜你喜欢

当前客户在线交流已关闭
请电话联系他 :