国家标准计划《表面化学分析 二次离子质谱 基于多δ层参考物质的硅深度校准方法》(计划号：20260912-T-491)正在征求意见。该标准拟等同采用国际标准ISO 23812:2009，由全国表面化学分析标准化技术委员会(TC608)归口，主管部门为中国科学院。
ISO 23812:2009于2009年4月发布实施。为推动国内二次离子质谱深度校准方法与国际标准接轨，全国表面化学分析标准化技术委员会提出了将该国际标准等同转化为国家标准的计划，并获国家标准化管理委员会批准。该计划于2026年3月2日正式下达，主要起草单位包括清华大学、天津工业大学、中国矿业大学(北京)、北京大学、中国人民公安大学。采标情况显示，该国家标准计划等同采用ISO 23812:2009，采标中文名称与标准名称一致。
二次离子质谱是测量硅中掺杂物质深度分布的重要方法。但在近表面区域(小于50 nm)，一次离子(如氧或铯)在样品表面的积累会引起二次离子产额和溅射速率的瞬态变化。在溅射初期，样品表面的一次离子浓度较低；随着溅射进行，一次离子逐渐掺入表面，溅射速率随之改变。若在该非平衡区域内仍假设溅射速率恒定，薄层深度分布曲线会出现显著偏移。
该标准所规定的方法，正是针对这一问题：采用多层δ层参考物质，在近表面但超出非平衡区域的范围内建立深度刻度，从而对浅层SIMS深度分布进行校准。ISO摘要确认，该标准适用于硅的SIMS深度剖析中小于50 nm浅层区域的深度标尺校准，不适用于溅射速率尚未达到稳态的表面瞬态区域，适用于单晶硅、多晶硅和非晶硅。
该标准在适用范围上与ISO 20341有所区别。ISO 20341规定的是利用多层δ层参考物质评估SIMS深度剖析中深度分辨参数的程序；而该标准规定的是在浅层区域中对深度标尺本身进行校准的程序。
作者：宋池
