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KDKLT-1B 高频光电导寿命测试仪(生产用) 型号:KDKLT-1B 中慧

型号
KDKLT-1B
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详细信息

高频光电导少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(生产用) 
型号:KDKLT-1B
货号:ZH8203
:
τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配数字示波器
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块体形严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质的重要检测项目。
设备组成
1.光脉冲发生装置:
重复频率>25次/s
脉    宽>60μs
光脉冲关断时间<1μs
红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶)
脉冲电流:5A~20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.高频源:
频    率:30MHz低输出阻抗
输出功率>1W
放大器和检波器:
频率响应:2Hz~2MHz
3.配用示波器:
配用示波器:频带宽度不低于10MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
测量范围:
可测硅单晶的电阻率范围:ρ≥0.1Ω·㎝(欧姆·厘米)
寿命值的测量范围:5~6000μs(微秒)

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