数字式硅晶体少子寿命测试仪 型号：ZD-LT-100C
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。                                                       
数字式硅晶体少子寿命测试仪

      该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。

DZ-LT-100C有以下特点：
1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、  可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。
3、配备软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联

用打印机及计算机。
4、配置两种波长的红外光源：
a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
5、测量范围宽广
测试仪可直接测量：
a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围     0.25μS—10ms    

产品名称：温湿传感器 温度湿度传感器 产品型号：QXY8-DWHC2

温湿传感器/温度湿度传感器  型号：QXY8-DWHC2

QXY8-DWHC2温湿传感器采用*PT100铂电阻和进口高性能湿敏单元,在测量精度稳定性和时间响应方面居国内同类产品地位，广泛应用于各类对环境、温度、湿度测量数据要求较高的部门使用。

技术参数

    温度

       测量范围：        -50℃~ 60℃

       Z大允许误差：    ±0.2℃

       输出信号：        四线电阻输出

    湿度

        测量范围：        0% RH～100% RH

        对应模拟输出：    0% RH～100%RH对应于0V～1V

        Z大允许误差：    ±1.5%RH （23℃±5℃）

                                 ±2%RH  （-10℃~50℃）

                                 ±3%RH  （-30℃~70℃）

    长期稳定性：          ≤1%RH/年

    重复性：              0.5%RH

    温度系数：            ±0.05%RH/℃

    工作温度：            -40℃～60℃

    供电：                3.5V～50V DC（推荐5V DC）

    稳定时间：            500ms

    功耗：                ≤4mA

    输出负载：            ≥10kΩ

    电缆长度：            3.5m

    Z大外形尺寸：        φ25mm×316 mm

    重量：                0.35kg