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TT500N14KOF TT500N14KOF

型号
TT500N14KOF

该企业相似产品

可控硅

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专业功率IGBT模块代理/批发:.三菱、英飞凌、EUPEC、富士、东芝、三社、三垦、西门康、ST、IR,IXYS,日立等品牌

深圳市安科半导体科技有限公司Shenzhen Anke Semiconductor Technology Co.,LTD)公司为台资的大型企业, 着力成为亚洲较大的现货代理及分销商,是一家专业代理经销一线半导体品牌英飞凌,三菱,富士,东芝,三社,西门子,西门康,IXYS, eupec,等功率模块GTR,IGBT,IPM,PIM,ABB,可控硅,整流桥, SAMSUNG、、TI、NXP、FSCNS N、IR、等IC 二三极管 MOS,美国、日本、欧系、韩国、中国台湾等世界半导体品牌、电子零配件产品线的独立分销商。本公司具有多年专业营销经验,拥有一支高素质专业化的销售队伍,业务遍及亚洲各地,目前已成为大陆、台、港地区*有实力的电子元件、器件供应商。


公司一直非常重视扩大发展中国大陆市场,为了更好、更方便周到的为大陆用户提供完善、快捷、周到的配套服务,特在深圳设立总办事处,竭诚为高新工业控制、变频器、电源、通讯设备、电子产品、安防报警、数码产品的生产厂商服务。

 

目前公司产品已经发展为三大类产品:

  IGBT模块IGBT单管IGBT驱动

● 英飞凌(EUPEC):  IGBT功率模块、单管IGBT1单元、2单元、6单元(600V-6500V

●  :  IGBT模块、PIM、焊机模块(600V-2500V)

●  : IGBT模块、IPMPIM(600V-3300V)

● 艾赛斯:  半桥、全桥、三相桥、整流桥(660V-1700V

■ 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器;

         ●LF系列,LT系列,LA系列,LV系列,HASS系列,LTS(R)系列,HY系列,CT系列,LV100系;

■ IC 二三极管 单片机系列偏冷门型号、*级IC;

安科半导体的宗旨:

亚洲较大的现货代理独立分销商,提供Z齐全、Z快捷、
Z周到的服务,为你的采购工作更省心!

详细信息

TT500N14KOF是什么?TT500N14KOF是IGBT模块/可控硅?是的代替型属于IGBT功率模块/IGBT智能模块,源产于德国西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)

注:西门子(SIEMENS)、英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)同属于西门子及子母公司

哪有*?质量怎么样?价格好吗?

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW:

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ;

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ;

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ;

电子镇流器IGBT单管;

逆导型(RC)IGBT,适于电磁炉、微波炉、电饭锅、以及软开关、谐振回路;

600V系列IGBT模块,1200V系列IGBT模块,1600V系列IGBT模块,1700V系列IGBT模块,3300V系列IGBT模块 ,6500V系列IGBT模块(属于众多型号规格当中的一种):

DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V;

DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V;

KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V;

KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V;

KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V;

公司推出冷mos管,它采用“超级结”(Super-Junction)结构,故又称超结功率MOSFET。工作电压600V~800V,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。

  IGBT刚出现时,电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内,耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进,现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A,高压IGBT单片耐压已达到6500V,一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT,可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

  IGBT的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,IGBT在20年历史发展进程中,有以下几种类型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。

碳化硅Sic是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是:禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、PN结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。


  可以预见,碳化硅将是21世纪zui可能成功应用的新型功率半导体器件材料。

infineon模块/英飞凌IGBT/英飞凌二极管/英飞凌可控硅/英飞凌整流桥

>>1600/1700V > 单管(1单元)

产品型号 参数说明

FZ800R16KF4 800A , 1600V , IGBT2

FZ1200R16KF4 1200A , 1600V , IGBT2

FZ1800R16KF4 1800A , 1600V , IGBT2

BSM200GA170DLC 200A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DLC 300A , 1700V , IGBT2

BSM300GA170DN2 300A , 1700V , IGBT2

BSM400GA170DLC 400A , 1700V , IGBT2

FZ400R17KE3 400A , 1700V , IGBT3

FZ400R17KE4 400A , 1700V , IGBT4

FZ600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE3_S4 600A , 1700V , IGBT3

FZ600R17KE4 600A , 1700V , IGBT4

FZ800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3

FZ1200R17KF6C_B2 1200A , 1700V , IGBT2

FZ1200R17HP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1200R17HP4 1200A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17KE3_B2 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KE3 1600A , 1700V , IGBT3

FZ1600R17KF6C_B2 1600A , 1700V , IGBT2

FZ1600R17HP4_B2 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1600R17HP4 1600A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17KE3_B2 1800A , 1700V , IGBT3

FZ1800R17HP4_B9 1800A , 1700V , IGBT4

FZ1800R17HP4_B29 1800A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17KE3 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B2 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KE3_B9 2400A , 1700V , IGBT3

FZ2400R17KF6C_B2 2400A , 1700V , IGBT2

FZ2400R17HP4 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B2 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B9 2400A , 1700V , IGBT4

FZ2400R17HP4_B29 2400A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17KE3 3600A , 1700V , IGBT3

FZ3600R17HP4_B2 3600A , 1700V , IGBT4

FZ3600R17HP4 3600A , 1700V , IGBT4


> 半桥(2单元) 产品型号 参数说明

FF400R16KF4 400A , 1600V , IGBT2

BSM50GB170DN2 50A , 1700V , IGBT2

BSM75GB170DN2 75A , 1700V , IGBT2

BSM100GB170DLC 100A , 1700V , IGBT2

BSM100GB170DN2 100A , 1700V , IGBT2

BSM150GB170DLC 150A , 1700V , IGBT2

BSM150GB170DN2 150A , 1700V , IGBT2

FF150R17KE4 150A , 1700V , IGBT4

FF150R17ME3G 150A , 1700V , IGBT3

BSM200GB170DLC 200A , 1700V , IGBT2

FF200R17KE3 200A , 1700V , IGBT3

FF200R17KE4 200A , 1700V , IGBT4

FF225R17ME3 225A , 1700V , IGBT3

FF225R17ME4_B11 225A , 1700V , IGBT4

FF225R17ME4 225A , 1700V , IGBT4

FF300R17KE3 300A , 1700V , IGBT3

FF300R17KE4 300A , 1700V , IGBT4

FF300R17ME3 300A , 1700V , IGBT3

FF300R17ME4_B11 300A , 1700V , IGBT4

FF300R17ME4 300A , 1700V , IGBT4

FF400R17KF6C_B2 400A , 1700V , IGBT2

FF401R17KF6C_B2 401A , 1700V , IGBT2

FF450R17ME3 450A , 1700V , IGBT3

FF450R17ME4_B11 450A , 1700V , IGBT4

FF450R17ME4 450A , 1700V , IGBT4

FF450R17IE4 450A , 1700V , IGBT4

FF600R17ME4_B11 600A , 1700V , IGBT4

FF600R17ME4 600A , 1700V , IGBT4

FF600R17KE3_B2 600A , 1700V , IGBT3

FF600R17KE3 600A , 1700V , IGBT3

FF600R17KF6C_B2 600A , 1700V , IGBT2

FF650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4

FF650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4

FF800R17KE3_B2 800A , 1700V , IGBT3

FF800R17KE3 800A , 1700V , IGBT3

FF800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2

FF800R17KP4_B2 800A , 1700V , IGBT4

FF1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4

FF1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4

FF1200R17KE3_B2 1200A , 1700V , IGBT3

FF1200R17KE3 1200A , 1700V , IGBT3

FF1200R17KP4_B2 1200A , 1700V , IGBT4

FF1400R17IP4 1400A , 1700V , IGBT4

> 三相桥(6单元)

产品型号 参数说明

FS50R17KE3_B17 50A , 1700V , IGBT3

FS75R17KE3 75A , 1700V , IGBT3

FS100R17KE3 100A , 1700V , IGBT3

FS100R17KS4F 100A , 1700V , IGBT2

FS100R17PE4 100A , 1700V , IGBT4

FS150R17KE3G 150A , 1700V , IGBT3

FS150R17PE4 150A , 1700V , IGBT4

FS225R17KE3 225A , 1700V , IGBT3

FS225R17KE4 225A , 1700V , IGBT4

FS225R17OE4 225A , 1700V , IGBT4

FS300R17KE3 300A , 1700V , IGBT3

FS300R17KE4 300A , 1700V , IGBT4

FS300R17OE4 300A , 1700V , IGBT4

FS450R17KE3 450A , 1700V , IGBT3

FS450R17KE4 450A , 1700V , IGBT4

FS450R17OE4 450A , 1700V , IGBT4

>>3300V> 单管(1单元)

产品型号 参数说明

FZ400R33KL2C_B5 400A , 3300V , IGBT2

FZ800R33KF2C 800A , 3300V , IGBT2

FZ800R33KL2C_B5 800A , 3300V , IGBT2

FZ800R33KL2C 800A , 3300V , IGBT2

FZ1000R33HE3 1000A , 3300V , IGBT3

FZ1000R33HL3 1000A , 3300V , IGBT3

FZ1200R33KL2C_B5 1200A , 3300V , IGBT2

FZ1200R33KL2C 1200A , 3300V , IGBT2

FZ1200R33KF2C 1200A , 3300V , IGBT2

FZ1200R33HE3 1200A , 3300V , IGBT3

FZ1500R33HE3 1500A , 3300V , IGBT3

FZ1500R33HL3 1500A , 3300V , IGBT3


> 半桥(2单元)

产品型号 参数说明

FF200R33KF2C 200A , 3300V , IGBT2

FF400R33KF2C 400A , 3300V , IGBT2


> 斩波模块

产品型号 参数说明

FD400R33KF2C-K 400A , 3300V , IGBT2

FD400R33KF2C 400A , 3300V , IGBT2

FD800R33KF2C-K 800A , 3300V , IGBT2

FD800R33KL2C-K_B5 800A , 3300V , IGBT2

FD800R33KF2C 800A , 3300V , IGBT2

FD1000R33HE3-K 1000A , 3300V , IGBT3


注:是什么?是IGBT模块/可控硅?

专业功率IGBT模块代理/批发:.西门子、英飞凌、EUPEC、三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、ST、IR,IXYS,日立等品牌,以及进口变频器PLC。

■  IGBT模块、IGBT单管、IGBT驱动

● 富 士: IGBT模块、IPM、PIM(600V-3300V)

● 艾赛斯:  半桥、全桥、三相桥、整流桥(660V-1700V)

● 三 菱:  IGBT模块、PIM、焊机模块(600V-2500V)

● 英飞凌(EUPEC):  IGBT功率模块、单管IGBT、1单元、2单元、6单元(600V-6500V)

■ IC 二三极管 单片机系列偏冷门型号、*级IC;

■ 瑞士LEM霍尔传感器、电流传感器、电压传感器;

infineon , eupec 

Eupec IGBT,SIEMENS 

SIEMENS IGBT,infineon IGBT



【本文来源】:安科半导体

【本文作者】:安科半导体

【关键字】:,infineon , eupec ,SIEMENS ,可控硅。

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