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BTL5-E10-M0150-P-S32 BALLUFF位移传感器
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BALLUFF位移传感器 巴鲁夫位移传感器又称为线性传感器,是一种属于金属感应的线性器件,传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。在生产过程中,位移的测量一般分为测量实物尺寸和机械位移两种。按被测变量变换的形式不同,位移传感器可分为模拟式和数字式两种。模拟式又可分为物性型和结构型两种。常用位移传感器以模拟式结构型居多,包括电位器式位移传感器、电感式位移传感器、自整角机、电容式位移传感器、电涡流式位移传感器、霍尔式位移传感。
BTL5-S111B-M0400-P-KA05
BTL5-S111B-M0450-B-KA10
BTL5-S111-M3965-P-S32
BTL5-S112B-M0025-K-SR32
巴鲁夫微脉冲位移传感器 BTL5-E10-M0150-P-S32关键特征:
结构 型号系列,型面结构
接口 模拟接口,电流
接口 插接器, M16
工作温度 20.0...28.0V
分辨率 ≤0.2µA
许可/*性 CE
cURus
用于动态规则应用 No
位置传感器数,大 1ST
BTL5-S112B-M0102-P-S32
BTL5-S112B-M0500-HB-F05-C
BTL5-S112-M0600-P-S32
BTL5-S112-M0600-P-S32/PK17
巴鲁夫微脉冲位移传感器 BTL5-E10-M0150-P-S32 电气特征:
超压保护 是
电绝缘 是
负载电阻RL,大 ≤500Ohm
工作电压UB,大,DC28.0V
工作电压UB,小,DC20.0V
故障信号Ia,上升 ≥20.4mA
故障信号Ua,上升 ≥10.2V
故障信号Ua,下降 <0V
耗电量(24 V DC)≤150mA
接口 模拟接口,电流
接口组 模拟
接通峰值电流 ≤ 3A/0.5ms
连接方式 插接器
耐电压(GND – 外壳) 500VDC
输出信号 4…20mA
位置传感器数,大 1 ST
线性偏差,大 ±100µm
用于动态规则应用 No
余波 0.5Vss
BTL5-S113B-M1600-P-S32
BTL5-S113B-M2000-P-S32
BTL5-S113B-M2300-P-S32
巴鲁夫微脉冲位移传感器 BTL5-E10-M0150-P-S32机械特征:
额定长度 150mm
TK,典型(在500mm的50%时) ≤ 35ppm/K
仓储温度,低 100°C
仓储温度,低 -40°C
测量值率(根据长度) 1 kHz, standard
插头类型 M16
电极数 8
电缆/插头出线 轴向
分辨率 ≤ 0.2µA
固定方式 固定夹
规格 规格P
环境温度Ta,大 85°C
环境温度Ta,小 -40°C
结构 型号系列,型面结构
空气湿度 < 90%,不凝结
零点 73.0mm
外壳材料 阳极化铝
型材高度 36.8 mm
BTL5-S165-M0900-K-SR32
BTL5-S165-M0950-K-SR32
BTL5-S166-M1050-A-SA294-S147
BTL5-S171B-M0175-B-S32
BTL5-S171B-M1900-K-K10
BALLUFF位移传感器通过非接触式的测控技术精确地检测活动磁环的位置来测量被检测产品的实际位移值的;该传感器的高精度和高可靠性已被广泛应用于成千上万的实际案例中。