- ¥1001起订
起订量：
BSM300GAR120DLC BSM300GAR120DLC
- 型号
- BSM300GAR120DLC
该企业相似产品
深圳市迈瑞斯有限公司专业批发零售:英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）、三菱(MITSUBISHI)、西门康(SEMIKRON)、莱姆（LEM)、霍尼韦尔（Honeywell）、西门子（SIEMENS）、ABB、日立(HITACHI)、整流器（IR）、国半（NS）、美信（MAXIM）、欧姆龙（OMRON）、安森美（ON）、三星（SAMSUNG）、意法半导体（ST）、德州仪器（TI)等,原进口功率模块:GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流桥、二极管、场效应管及驱动电路,大电容、大制动电阻,电源模块.及配套产品.公司*备有深圳/香港现货库存。承接订货，产品系列齐全,技术力量雄厚,售后服务到位,供货稳定,在国内外电子/工控/机电设备及*行业中建立了良好信誉;产品广泛应用于变频电源，开关电源,工控设备,马达专动,电焊机,电梯,空调,风力发电,不间断电源,电动力机车等各方面领域.
公司一直秉持‘诚信为本，质量为先，服务*’的原则。
“十年磨一剑”，更好的为客户服务：
深圳/香港大量进口现货库存，质量更稳定和有保障;
积累丰富经验和渠道，为您更好的解决订货问题;
经营产品：
●功率模块:
GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、整流桥
（电流25A-3600A）（600V/1200V/1700V/3300V6500V）；
●LEM/ Honeywell霍尔传感器、电流传感器、电压传感器；
●器件：
多芯片模块，模拟和混合信号逻辑芯片，数字光耦和模拟输出光耦，光电耦合器，发光二极管；
●集成电路（IC）、二三极管、场效应管；
●电阻电容：
大制动电阻、功率电阻、保护电阻、缓冲电阻以及贴片电阻；
钽电容、铝电容，电解电容、吸收电容、薄膜电容、西门子电容以及贴片电容；
经营品牌：
德/欧系：西门子（SIEMENS）、英飞凌(Infineon)、优派克（eupec）、西门康(SEMIKRON) 、 ABB、莱姆（LEM)、爱普科斯(EPCOS)、
美系：国半（NS）、整流器（IR）、美信（MAXIM）、安森美（ON）、意法半导体（ST）、德州仪器（TI) 、霍尼韦尔（Honeywell）、仙童（FSC）、
日系：三菱(MITSUBISHI)、日立(HITACHI)、欧姆龙（OMRON）、TDK、红宝石( Rubycon)；
韩系：三星（SAMSUNG）、
深圳市迈瑞斯有限公司
韦德
0755-32811887
13286661181
QQ1198598287
1198598287@qq.com
weide1573@163.com
weide1576@163.com
深圳市龙岗区坂田街道河背6-8号
http://www.gsigbt.com/
详细信息
infineon BSM300GAR120DLC, eupec BSM300GAR120DLC,图片。
产品型号 参数说明 封装形式
BSM50GB60DLC 50A , 600V , IGBT2 34 mm
BSM75GB60DLC 75A , 600V , IGBT2 34 mm
BSM200GB60DLC 200A , 600V , IGBT2 34 mm
FF200R06KE3 200A , 600V , IGBT3 62 mm
FF200R06YE3 200A , 600V , IGBT3 EasyDUAL 2
FF300R06KE3 300A , 600V , IGBT3 62 mm
FF300R06KE3_B2 300A , 600V , IGBT3 62 mm
FF400R07KE4 400A , 650V , IGBT4 62 mm
FF450R07ME4_B11 450A , 650V , IGBT4 EconoDUAL 3
FF600R07ME4_B11 600A , 650V , IGBT4 EconoDUAL 3
图片PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。（如有需要 敬请“迈瑞斯”，可提供）
infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW系列：
高频600V硬开关频率fK≤150KHZ；
快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ；
低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ；
低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ；
600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：
DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；
DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；
KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；
KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；
KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；
IGBT刚出现时，电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间内，耐压水平限于1200V～1700V，经过长时间的探索研究和改进，现在IGBT的电压、电流额定值已分别达到3300V/1200A和4500V/1800A，高压IGBT单片耐压已达到6500V，一般IGBT的工作频率上限为20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT，可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。
IGBT的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型。
，可控硅，infineon , eupec 。
