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PEM-n vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
- 型号
- PEM-n
西安立鼎光电科技有限公司是一家专业从事短波红外成像系统及光电测试装备的研发生产、系统集成、销售服务为一体的高新技术企业。公司专注于为客户提供从元件、组件、部件到全套光电系统产品的完整解决方案。
近年来，公司研制的短波红外成像系统在激光光斑检测、半导体检测、激光通信、光谱成像、激光切割、生物医疗、天文观测、安防、星敏感器、激光制导、反侦听、激光测振等领域得到了广泛的应用。
多年来，根据用户需求定制的多款光电测试装备，为用户产品的性能指标保证发挥了重要作用，得到了客户的高度认可。
详细信息
vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
PEM系列（2-12μm红外光电磁探测器、光平直入浸式）
特点：室温下工作；无需偏置；光谱范围（2-12µm）；D*(10.6 µm)达到2*107cmHz1/2/W；响应时间≤1ns；无闪动噪声；从直流到高频工作；重量轻，耐用可靠；低成本；可根据客户要求设计。
描述：PEM系列经过优化使得在波长为10.6微米可以达到*的使用状态。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。探测器由(Hg-Cd-Zn-Te)半导体经过成分选择和掺杂面处理而获得，微型永磁铁提供非常强的磁场。PEM系列的探测器非常适合10.6微米辐射的外差探测。无闪动噪音，在整个2-12 µm光谱范围内可以同时用于CW和低频调制辐射。可以按客户定制器件的要求提供如单个各种规格的元件、四象限单元、多元件阵列、特定封装和连接器。vigo碲镉汞HgCdTe光电磁探测器（0.5um-11um）
详细规格：
特性（@ 20ºC） | 单位 | PEM－10.6 | PEMI－10.6 |
*特性波长λop | μm | 10.6 | 10.6 |
探测率: at λpeak at λop | cmHz1/2/W | ≥1.5E7 ≥4E6 | ≥8E7 ≥2E7 |
电阻率 | V/W | ≥0.04 | ≥0.2 |
响应时间τ | ns | ≤1 | ≤1 |
电阻 | Ω | 40－100 | 40－100 |
光学面积（长×宽） 或直径(圆形) | mm x mm mm | 0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2 | |
工作温度 | K | 300 | |
视场, F/# | deg | 60,0.5 38,1.65 | |
