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Talos F200系列 FEI Talos F200系列 场发射透射电子显微镜
- 型号
- Talos F200系列
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从冶金铸造和新功能材料的开发，船舶建造和石化装备升级换代；到汽车零部件和电子电工的可靠性测试；航空航天和生命科学领域的核心突破；以及环境检测和工业品品质的不断提升，禹重科技®为各行各业的客户提供了众多定制化的智能实验室综合解决方案。随着国家“一带一路”建设和科技创新战略规划的实施，我们服务的地域将拓展到更广阔的东南亚、中东欧和非洲等国家。
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详细信息
FEI Talos F200系列 场发射透射电子显微镜融合了出色的高分辨率扫描/透射电子显微镜 (STEM) 和 TEM 成像功能与行业的能量色散 X 射线光谱仪 (EDS) 信号检测功能及基于成分测绘的三维化学表征功能。Talos F200X 可在所有维度 (1D-4D) 下实现zui快速、zui精确的 EDS 分析，以及且支持快速导航的动态显微镜 HRTEM 成像。
FEI Talos F200系列 场发射透射电子显微镜可以实现zui快速、zui准确且量化的多维纳米材料表征。 FEI Talos F200S 200 kV STEM 融合了快速、多通道、高分辨率 STEM 成像和精确成分分析，可以支持各种动态显微镜应用。FEI Talos 的创新功能可提高通量、精度与易用性，非常适于学院、政府和工业研究环境中的高级研究与分析。
是FEI公司新一代场发射低温透射电镜，配有场发射电子枪；样品台可倾转zui大角度70度； 恒功率模式的物镜保证成像的高稳定性；点分辨率可达0.3nm，信息分辨极限可达0.15nm。
基本参数
Talos F200S
总束电流：>150nA
探针电流：1nA@1nm探针（200 kV）
EDS系统：2 SDD无窗设计，shutter保护
能量分辨率：≤136 eV，对Mn-Kalpha和10kcps（输出）
快速EDS：像素驻留时间低至10 us
Talos F200X
明场X-FEG：1.8×109 A/cm2 srad（@200kV）
总束电流：>50nA
探针电流：2nA@1nm探针（200 kV）；0.4 nA@0.31nm探针
EDS系统：2 SDD无窗设计，shutter保护
能量分辨率：≤136 eV，对Mn-Kalpha和10kcps（输出）
快速EDS：像素驻留时间低至10 us 除了这些基本特性外，本中心的Talos还装备：
1 Ceta 4K*4K 相机；
2 用于STEM模式的环形暗场探头（HAADF）以及BF/DF探头；
3 Gatan 626冷冻传输样品杆，单倾样品杆以及三维重构样品杆；
4 单颗粒技术自动化数据收集系统EPU和电子断层扫描技术自动化数据收集软件Xplore3D。
Talos可以满足冷冻单颗粒技术、冷冻电子断层扫描技术、STEM电子断层扫描技术的数据收集需求，如：
1. 进行液氮温度的冷冻样品数据收集；
2. 可进行单颗粒样品数据收集；
