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高精度变温霍尔效应测试仪（70-730K）
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- 产地类别:国产
上海昊量光电设备有限公司
Aunion Tech Co., Ltd
专业源自专注 专注成就未来
自2008年成立以来，昊量光电专注于光电领域的技术服务与产品经销，致力于引进guo外*先进性与创新性的光电技术与可靠产品，为国内Z前沿的科研与工业领域提供优质的产品与服务，助力中国智造与中国创造! 目前，昊量光电已经与来自美国、欧洲、日本的多家光电产品制造商建立了紧密的合作关系。其代理品牌均处于相关领域的发展前沿，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究与国防等。
昊量光电坚持“专业源自专注，专注成就未来”的经营理念。近年来，我们专注于前沿的细分市场，为量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等领域的客户提供系统解决方案。
作为一家以技术沟通与技术服务见长的高科技企业，我们所有的销售与技术服务团队成员都具有理工科方面的专业背景，并在公司接受相关领域的专业培训，在售前技术沟通、售后产品安装培训、产品问题解决、软硬件增值服务等方面为客户提供更加专业化的服务！我们专业高效的商务与物流部门凭借多年积累的贸易经验与规范化的制度流程，保障每一笔订货准时安全到达目的地，免除客户的后顾之忧！
秉承诚信、高效、创新、共赢的核心价值观，昊量光电坚持以诚信为基石，凭借高效的运营机制和勇于创新的探索精神为我们的客户与与合作伙伴不断创造价值，实现各方共赢！
立足于光电产业，昊量光电始终坚持价值创造与创新，赢得客户与合作伙伴的认可，不断拓展业务领域的新边疆，立志打造的代理服务品牌！
详细信息
高精度变温霍尔效应测试仪（70-730K）
变温霍尔效应测量仪是利用范德堡测量技术对半导体材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率等进行测量，用来表征和了解材料的物理性质。昊量光电的宽带变温霍尔效应测量仪主要可包括霍尔效应测量、变温恒温器、外加磁场三部分。
高精度变温霍尔效应测试仪（70-730K）
变温霍尔效应测量仪利用不同范德堡方法可以在不同温度下对材料的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率进行测量。该设备采用焦耳-汤姆逊平台可以为样品提供70-730K广泛的变温范围，利用温度控制器使展现的温度稳定性和重复性，控温精度可达到±0.1K，分辨率可达到0.01K，并对温度变化有极快的响应速度。采用zui大可提供1.4T的电磁铁施加外磁场，并可根据需要选配不同的电磁铁。配备霍尔测量控制器，样品电流范围为10-12-0.01 A，样品电压可达到10-6-2.4V。采用灵活的模块化设计，可以根据需要实验和经费需要组建理想的系统。
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昊量光电推出的变温霍尔测量系统采用*的焦耳-汤姆逊平台对样品进行高低温处理，无需液体冷冻剂处理。当真空腔至少保持在8 mTorr时，可以提供以下温度范围，①室温,②70K-580K,③80K-580K,④70K-730K,⑤80K-730K,⑥室温-730K,六种不同的温度区间。配备AUK2000温度控制器，可提供精确的温度控制与测量并且拥有*的稳定性和重复性。该系统控温精度可达到±0.1K，分辨率可达到±0.01K，对温度的响应速度可达到1K/s。
霍尔效应测量仪采用范德堡方法对霍尔效应和电阻率进行测量，四个探针连接样品，其中两个输入电流，其余两个测量电压。为了方便快速的切换样品，与样品表面接触有弹簧探针和利用聚酰亚胺焊接两种方法。①弹簧探针可以使待测样品与探针直接接触，无需粘贴或焊接，这有效的避免了样品在高温下测试时焊点融化的问题。而且在换样品时更加快速方便。②聚酰亚胺焊接法。当样品尺寸非常小，或者有特殊几何要求的样品时采用该方法，此外利用弹簧探针无法达到优质的欧姆连接时也采用这种办法。霍尔传感器在真空腔中处在样品的下方，可以对样品所处磁场的大小进行精确的测量。
宽带变温霍尔效应测量仪采用电磁体或永磁铁提供外加磁场。并有三种不同的电磁体可供选择。电磁体可通过软件和霍尔控制器进行控制。①AU-M-25是一个紧凑的低成本的永磁体，该电磁体既不需要水冷也不需要风冷。该磁体可以提供5000高斯的单向外加磁场，霍尔恒温器在两片电磁铁之间，如果需要反向磁场可以把恒温器反向插入即可。②AU-MK-50是双极电磁体，可提供变化的外加磁场，zui高可达5000高斯，并可提供反向磁场和0磁场。此外两电磁铁之间的间距可以调节。该电磁铁采用风冷，但有水冷端口如果长时间使用可采用水冷。③AU-M-150电磁铁可提供变化的外加磁场，zui高可高达14000高斯，可自由转换磁场反向，对于高磁场和长时间的使用，应利用水冷使电磁体降温。
宽带变温霍尔效应测量仪采用四点范德堡的方法测量，并通过霍尔测量控制器AUH5000来实现，AUH5000控制器是一个一体化的设备，既可以提供电流/电压源、电流/电压探测、磁场的测量和控制。该控制器可以通过USB或者RS-232与电脑连接通过软件进行上述操作。通过软件可以完成温度控制、霍尔测量等。
u 主要特点
- 宽的操作温度（70-730K）
- 的温度稳定性和重复性（±0.1K）
- 高外加磁场（1.4T）
- 灵活配置的模块设计，可以根据经费和实验需求组建系统
- 低运行成本
- 无机械、声学和电子噪声
u 主要应用
半导体材料（比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe）、电磁材料（磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、超导体材料）的电阻率、载流子浓度、磁致电阻率、霍尔系数、电子迁移率测量
u 主要参数
SPECIFICATIONS FOR THE VARIABLE TEMPERATURE HALL SYSTEM | |
Operating Temperature Range: | Available between 70K and 730K (Joule-Thomson Thermal Stage) |
Dimensions of Vacuum Chamber: | 2.5 in wide x 6.0 in long x 0.75 in high (at sample end) |
Weight of the Vacuum Chamber: | 16 oz (454 grams) with thermal stage mounted |
Sample Mounting Surface Size: | 10 mm x 12 mm |
Standard Window Material: | Fused silica |
Maximum Sample Weight Allowed: | No more than 5 grams |
Working Distance: | 12 mm |
Dimension Configurations: | -Spring Loaded Probe spacing: 0.1 in, 0.2 in, 0.3 in (2.25 mm, 5 mm, 10.5 mm) -Kapton Harness space: not applicable |
Electrical Connections: | Triax connectors. |
Current Source Range: | 1 -12 to 0.01 Amps |
Voltage Measurement Range: | 1 -6 to 2.4 Volts |
Resistance (or Resistivity) Range: ** | Typical range is 10 -4 Ohm*cm to 10 13 Ohm*cm (dependent on sample thickness) |
Carrier Concentration Range: ** | Approximate range is 10 3 cm -3 to 10 19 cm -3(dependent on sample thickness ) |
Mobility Range: ** | Approximate range is 1 cm2 /volt*sec to 107 cm2/volt*sec |
Sample Thickness: | 0.001-2000 micrometer |
Temperature Accuracy: | < 0.5K at 80K; + /- 0.5K between 80K and 400K; < 1.5K from 400K to 730K |
Temperature Stability: | * /- 0.1K |
Temperature Resolution: | 0.01 K |
