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硅晶圆片(通用耗材)
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代理商海德公司是Electron Microscopy Sciences 公司(简称 EMS )在中国的总代理,我们致力于符合中国客户的产品引入中国!精密的Dumont镊子和DiaTome钻石刀给电子显微镜用户带来便利。
胶体金二抗来自荷兰的Aurion公司,这是一家专业的免疫金试剂的生产厂家,过去的几年中,Aurion的产品线不断壮大,产品质量稳定,包括了光镜、电镜方面的免疫金试剂,产品线已经形成:电镜方面的银加强试剂、超微Fab片段、封闭试剂、Donkey的免疫金标记试剂等等。
提供美国EMS公司的镀膜仪(喷金仪)、辉光放电仪、低温灰化仪等等电子显微镜周边仪器,以及电镜铜网、支持膜、微珊、树脂包埋剂等等试剂耗材。
来自英国的抗原修复锅和新型的免疫佐剂给更大病理研究和制药企业带来福音。
海德生物代理国外产品的同时,也在某些领域进行着积极的探索和研究,已经研制出新型试剂和科研工具,我们将会不断的推出紧跟时代发展的产品给广大的科研工作者。
硅晶圆片(通用耗材)
随着半导体、微电子行业的发展,硅晶圆片(通用耗材)的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片,请将您的参数要求发给我们,如有疑难,也请。
哪里可以快速买到硅片作为基片,当然是这里!我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底,高纯抛光的硅基底也能够提供。
选型指导:
特性 | 产品描述 |
常规硅片直径 | 1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12" |
厚度 | 50um至10000um |
超薄硅片直径 | 5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm |
超薄硅片厚度 | 2um至50um,公差±0.5µm、±1.0µm、±1.5µm |
表面粗糙度 | Prime Grade wafer Ra<5Å . |
掺杂类型 | P型、N型、无掺杂 |
晶向 | 〈100〉± 0.5°;〈110〉±0.5°;〈111〉± 0.5°,〈100〉± 1°,〈110〉±1° |
表面处理 | 抛光、刻蚀、ASCUT;单面/双面处理 |
电阻率 | 0~至 20000 (Ω·cm) |
级别 | Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade |
产品举例:
产品描述 | 尺寸举例 | 规格 |
多孔硅晶圆,Porous silicon wafer | 76.2mm | 10片 |
无掺杂硅晶圆,undoped silicon wafer | 100mm | 10片 |
氮化硅膜硅晶圆,Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD | 100mm | 10片 |
FZ区硅晶圆片,Float Zone Silicon Wafer | 25.4mm | 10片 |
热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer | 76.2mm | 25片 |
超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers | 6″ | 5片 |
太阳能硅晶片,Solar Silicon Cells | 6″,5″ | 25片 |
外延硅片,Epitaxial Silicon Wafer | 100mm | 10片 |
N型硅晶圆片,N-Type Silicon Substrates | 100mm | 100片 |
各种硅晶片 |
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我们致力于为客户提供全面的硅片(Silicon Wafer)解决方案,从测试级硅片(Test Wafer)到产品级硅片(Prime Wafer),以及特殊硅片氧化硅片(Oxide)、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等,尺寸覆盖50mm-300mm。
对于2D材料的研究,软光刻硅片,直接放射性核电实验,等离子体刻蚀硅片,以及微流控芯片平台的建立,我们均有成功的经验。
小常识:
将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面,通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P、B等,以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等。
用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区(floatzone)(FZ)生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅,因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力,而且它能提供一种内部吸杂的机械装置,该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成,所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度(从而有更高的电阻率)。器件和电路所需的高纯起始材料(如高压,高功率器件)一般都用FZ硅。
我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜,已优化为晶圆需要小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的,它提供了更大的灵活性,可以沉积在任何其他薄膜上。
我们提供独立式超薄超平硅片,厚度从5µm到100µm不等,直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP,良好的表面平整度,无雾,无空洞,表面RMS低(典型1-2 nm),超低值TTV通常小于+/-1µm。
我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率,阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此,小型屋顶将希望使用更高的效率面板,以弥补较小的表面积。