GRSPT822A高压介质损耗测试装置概述：

GRSPT822A高压介质损耗测试装置为一体化结构，内置介损电桥、变频电源、试验变压器和标准电容器等。采用变频抗干扰和傅立叶变换数字滤波技术，全自动智能化测量，强干扰下测量数据非常稳定。测量结果由大屏幕液晶显示，自带微型打印机可打印输出。适用于现场抗干扰介损测量，或试验室精密介损测量。

 规    格

1、介质测量精度为1%   

2、电容量精度为0.5%               

3、抗干扰变频  

技术指标：

• 准确度：Cx: ±（读数×1%+1pF）

                         tgδ: ±（读数×1%+0.00040）

•  抗干扰指标：变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度
•  电容量范围：内施高压：3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
•  外施高压：3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
•  分辨率：zui高0.001pF，4位有效数字
•  tgδ范围：不限，分辨率0.001%，电容、电感、电阻三种试品自动识别。
•  试验电流范围：10μA～5A
•  内施高压：设定电压范围：0.5～10kV
•  大输出电流：200mA
•  升降压方式：连续平滑调节
•  电压精度： ±(1.5%×读数+10V)
•  电压分辨率：1V
•  试验频率： 45、50、55、60、65Hz单频

                               45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自动双变频

•  频率精度： ±0.01Hz
•  外施高压： 正接线时大试验电流1A，工频或变频40-70Hz
•  反接线时大试验电流10kV/1A，工频或变频40-70Hz
•  CVT自激法低压输出：输出电压3～50V，输出电流3～30A
•  测量时间：约40s，与测量方式有关
•  输入电源：180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市电或发电机供电
•  计算机接口：标准RS232接口
•  打印机：炜煌A7热敏微型打印机
•  环境温度： -10℃～50℃
•  相对湿度： <90%

主要功能特点：

采用变频抗干扰技术，在200%干扰下仍能准确测量，测试数据稳定，适合在现场做抗干扰介损试验。

 高精度测量，采用数字波形分析和电桥自校准等技术，配合高精度三端标准电容器，实现高精度介损测量。

 仪器所有量程输入电阻低于2Ω，消除了测量电缆附加电容的影响。

 多级安全保护，确保人身和设备安全

 高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能以短路方式高速切断输出。

 低压保护：误接380V、电源波动或突然断电，启动保护，不会引起过电压。

 接地保护：仪器接地不良使外壳带危险电压时，启动接地保护。

 C  V  T：高压电压和电流、低压电压和电流四个保护限，不会损坏设备；误选菜单不会输出激磁电压。CVT测量时无10kV高压输出。

 防误操作：两级电源开关；电压、电流实时监示；多次按键确认；接线端子高/低压分明；缓速升压，可迅速降压，声光报警。

 防“容升”：测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。

 抗震性能：仪器采用*抗震设计，可耐受强烈长途运输震动、颠簸而不会损坏。

 高压电缆：为耐高压绝缘导线，可拖地使用。

（1）具有正/反接线，内/外标准电容，内/外高压多种工作模式，一体化结构，可做各种常规介损试验，不需外接任何辅助设备。

（2）具有外接标准电容器接口，可外接油杯做精密绝缘油介损试验，可外接固体材料测量电极做精密绝缘材料介损试验，也可外接高压标准电容器做高电压介损试验。

（3）自动识别50Hz / 60Hz系统电源，并支持发电机供电，即使频率波动大，也可正常测量。

（4）内置串联和并联两种介损测量模型，方便仪器检定。

（5）可存储255组测量数据。

（6）CVT自激法测量时，C1/C2可一次接线同时测出，自动补偿母线接地和标准电容器的分压影响，无须换线和外接任何配件。

（7）优化的电路设计，使正/反接线的准确度和稳定性*。

（8）自动识别外接高压试验电源频率40Hz～70Hz，支持工频电源、变频电源和串联谐振电源做大容量高电压介损试验。

（9）具有反接线低压屏蔽功能，在220kVCVT母线接地情况下，对C11可进行不拆线10kV反接线介损测量。

（10）带计算机接口。通过该接口，实现测量、数据处理和报表输出，也可实现仪器内部测量软件升级。可集成到综合高压试验车上。

（11）增加回路接触不良放电提示功能，以方便判别接线是否可靠。

（12）增强反接线低压屏蔽功能，可一次接线同时测出两个电容的电容量和介损值。

（13）增加CVT变比功能，可测量CVT变比和相位误差。