BEHLKE电源稳压器电子元器件型号解析

Behlke 产品组C3 - MOSFET，可变导通时间，低耦合电容

1）HTS 901-10-LC2，低电容MOSFET开关，采用高压瞬态LC2技术。该开关旨在满足非常苛刻的工业要求。隔离电压> 150 kV      （可选高达300 kV）。内置控制单元（可更换）。90 kVDC，100 A.导通电阻<40欧姆。开启上升时间<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但带有选件SEP-C（独立控制单元）和选件DLC（直接液体冷却）。  

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET开关，带选件TH（管状外壳）和选件DLC（直接液体冷却）。100 kVDC，200 A pk。，上升时间<50 ns，大值 功耗30千瓦     

Behlke 产品组C4 - 沟槽FET，可变导通时间，高电流，低电阻

1）HTS 71-13-BC，紧凑型系列。新的TRENCH FET技术，具有低导通电阻。7.8 kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，新的沟槽FET，具有低导通电阻和高峰值电流。带可选铜散热片（选件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，新的Trench FET技术，具有低导通电阻和高峰值电流。23 kV，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用选件CF-X2（散热片X2）和C-DR（驱动器散热）   
  

Behlke 产品组C5 - MOSFET，可变导通时间，双极性，用于交流和直流电压

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和双极直流电压的MOSFET开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和双极直流电压的沟槽FET开关。带可选铜散热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，沟槽FET开关，用于交流，直流和双极直流电压。带可选铜散热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各种MOSFET交流开关，30至70 kV / 100 A，带管状外壳（选件TH）和直接液冷（选件DLC）。    

HTS 31-GSM介绍：
HTS 31-GSM推挽式开关由两部分组成交替控制的固态开关转向由大量MOSFET组成平行并且串联。 HTS 31-GSM拥有全部*的HTS系列的优点开关，例如控制简单，电流高隔离，精确切换特性，高可靠性，长寿命和小尺寸。 push-pul这里描述的开关可以首先用于产生高边缘的真正方波脉冲主要是电容性或电阻性的陡度加载。带推挽式开关的发电机解决方案与单开关相比具有明显的优势关于功耗和工作电阻脉冲下垂。特别是超大的储能电容器和强大的高压电源可以在纯电容的情况下可以省去装载，因为不需要提供真正的电力整个脉冲持续时间，就像*的数字CMOS-ICS具有可观的功耗仅在较高频率下出现。兴衰开关输出的时间几乎相同并且第1次有可能产生极其精确的高压方波脉冲仅使用一个组件，具有成本效益。 HTS31-GSM配备了抗噪声控制电路，确保始终正确的时间内部开关元件甚至多困难的操作条件。通过监视和调节输入信号不能发生不饱和的转换。一个内置的具有自动复位功能的thermotrigger提供防止中长期过热。

HTS 31-GSM连接和操作：
HTS 31-GSM可以产生正，负和双极脉冲。相应的附件高压侧的电路如图所示相邻图。为了短暂的过渡缓冲电容器CB至少应该具有的时间负载电容CL的值的十倍。该串联电阻器Rs不是必要的推荐用于阻抗匹配和阻尼累积瞬变，用于短路保护，有时还可以减轻负担该切换电容功率耗散。在可能的阻抗的情况下匹配它应该注意静态上电阻Rstat随流动的负载电流而变化。因此，在高电容和a相应的高脉冲电流Rs的值有时候可以减少到更短的时间过渡时期。好确定佳值根据经验，卢比的价值关于边缘陡度的个别要求和瞬态响应。带负载电容超过1 nf的峰值电流应该是有限的通过卢比达到30安培。

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