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S100/S200/S300 第三代半导体IV曲线分析仪
- 型号
- S100/S200/S300
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武汉普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。
武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成。
武汉普赛斯仪表公司成立于2019年，是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司。坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
武汉普赛斯电子技术有限公司是一家高科技企业，专业研究和开发光通信器件产线监测和测试方案和自动化测试设备。产品覆盖CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收发模块、BOB等生产线。客户包括：华为、海思、中兴、光迅、海信、正源光子、旭创等，公司旨在为光电器件生产企业提供完美的服务，针对产线生产的痛点问题，模拟现实应用环境，进行半导体光器件性能指标生产监测和测试，实现产品生产过程实时可监控、可追溯。具有综合性、完备性、稳定性、半自动化或自动化等特点，从而提高用户产线产品的生产效率、可靠性、稳定性、一致性。
详细信息
源表特点：
多功能：可作源和负载，又能测；
高效率：满足多种测试需求；
可编程控制：高精度可调，灵活控制；
IV扫描：快速、直观显示，一步操作。
应用领域：
分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量与效率特性测试，LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
测试功能：
微电路 | ||
1 | 晶圆 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
2 | 芯片 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
器件 | ||
1 | 二极管 | 正向导通电压、正向电流、反向击穿电压、反向漏电流 |
2 | 三极管 | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
3 | MOSFET | L-IV测试，输入曲线、输出曲线 |
4 | IGBT | L-IV测试，输出曲线、转移曲线 |
5 | 晶闸管 | 正向电压电流曲线、反向电压电流曲线、触发特性 |
电池 | ||
1 | 锂电池 | IV测试，充放电扫描曲线 |
2 | 光伏电池 | IV测试，放电扫描曲线 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
2 | 纳米线 | IV测试、输入曲线、输出曲线 |
S系列源表特点：
5寸800*480触摸显示屏，全图形化操作
内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV、PIV
源及测量的准确度为0.1%，分辨率5位半
四象限工作（源和肼），源及测量范围：高至300V，低至10pA
丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
支持USB存储，一键导出测试报告
支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网
应用优势：
1、 多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高300V，电流低至100pA；
2、 实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率。
3、 具备对测试器件的保护功能，可进行自我限制，避免因过充而造成的对测试器件的损害；
精确的电压电流限制功能，为器件提供完善的保护功能，避免器件损坏。
4、 触屏图形化操作，使用简单。开放式平台，可根据实际应用的需求而针对性的开发软件。
国产优势
1、自主研发，符合大环境下国内技术自给的需求；
2、性价比高；
3、可及时与客户沟通，为客户提供高性价比系统解决方案。及时指导客户编程，加速测试系统开发。
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