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GeminiX2 多功能电穿孔系统
中级会员第9年
生产厂家嘉润万丰(北京)科技有限公司成立于2013年,是一家研发销售于一体的技术型公司。公司有十余人的研发团队,开发科学仪器设备。
公司努力建设完善售前,技术支持,售后等服务体系,为我们的产品更好地服务科研单位,大专院校,生物企业等保驾护航,为广大用户免去后顾之忧。
我们郑重承诺:以质量为本,诚信经营,不断提高我们的服务,完善我们的产品,更好的为广大用户服务。
期待与您的合作。
其中自主研发等离子清洗机,等离子去胶机,等离子刻蚀机等系列产品 ,等离子清洗机系列产品目前我们的用户有:*高能物理研究所,*动物研究所,中国科技大学,天津理工大学,苏州大学,*智能研究所,福建泉州师范学院,福州农林大学,中山大学,河南轻工业学院,山东大学,大连理工大学,(排名不分先后)等国内科研单位,产品受到广大用户的认可,遍及各个省市的高校,企业,等广大实验室。
公司今年又成立了一家分公司,用于新实验仪器的研发制造,敬请期待。
原理:在传统的电穿孔技术的基础上,通过新型电转程序和优化的电转参数,实现不依赖于特殊的转染试剂或病毒载体,方波技术直接将外源基因导入到原代细胞、传代细胞、离体的组织或器官、或活体动物的组织中;指数衰减波技术则广泛用于细菌、酵母、植物细胞的转化。
特点:预存、导入protocol仪器内预存常规实验细胞的protocol,方便用户的实验操作;并可通过电脑控制实现BTX专业protocol库的下载,存储到仪器内部进行调用。
双波形电穿孔系统,任一波形调用,不再是简单的叠加,同一仪器内,突破方波、指数衰减波的相互干扰,实现方波、指数衰减波的整合。
测量电阻值:电阻值的测量是电击过程中理化环境的指标,细胞转化、转染,指示缓冲液离子浓度合适,避免爆杯、细胞击穿;活体电击,指示实验部位的理化特征,保证实验重复性。
安全性能:电弧淬灭功能,使由电弧引起的损害降至;电阻值测量,警示使用过程中对仪器的外部损伤;短路保护,避免脉冲发生器遇到短路时被损坏。
兼容性
BTX各种电穿孔电极,BTXMOS96孔板电穿孔系统,脚踏开关,电脑控制。
l产品广泛应用于体外电极杯/96微孔板,活体体内,子宫内胚胎、卵内胚胎和贴壁细胞。
lGeminiX2电穿孔仪将方波和指数衰减波结合。
l配合BTX的各种专业电极,轻松应对各种电穿孔实验需求。
l悬浮细胞放置于电极杯或96微孔板中完成电穿孔。
l活体体内/离体、子宫内胚胎、贴壁细胞可通过BTX专业电极完成电穿孔实验。
lGeminiX2配置脚踏板开关和电脑操控,且内置常规实验参数。
lProtocol预存和下载功能,为您提供佳实验优化方案,实验品质控制和故障排除。
1.原理:在传统的电穿孔技术的基础上,通过新型电转程序和优化的电转参数,实现不依赖于特殊的转染试剂或病毒载体,方波技术直接将外源基因导入到原代细胞、传代细胞、离体的组织或器官、或活体动物的组织中;指数衰减波技术则广泛用于细菌、酵母、植物细胞的转化。
2.技术参数
2.1预存、导入protocol:仪器内预存常规实验细胞的protocol,方便用户的实验操作;并可通过电脑控制实现BTX专业protocol库的下载,存储到仪器内部进行调用
2.2双波形电穿孔系统:双波形电穿孔系统,任一波形调用,不再是简单的叠加,同一仪器内,突破方波、指数衰减波的相互干扰,实现方波、指数衰减波的整合。
2.3测量电阻值:电阻值的测量是电击过程中理化环境的指标,细胞转化、转染,指示缓冲液离子浓度合适,避免爆杯、细胞击穿;活体电击,指示实验部位的理化特征,保证实验重复性
2.4安全性能:电弧淬灭功能,使由电弧引起的损害降至;电阻值测量,警示使用过程中对仪器的外部损伤;短路保护,避免脉冲发生器遇到短路时被损
2.5不依赖于特殊的转染试剂或病毒载体,方波技术直接将外源基因导入到原代细胞、传代细胞、离体的组织或器官、或活体动物的组织中;指数衰减波技术则广泛用于细菌、酵母、植物细胞的转化。
2.6可选配各种专业电极,脚踏开关,并可通过电脑控制。同时可选配BTXMOS96孔板高通量电穿孔系统,对96孔微孔板同时进行转染。
2.7用户界面:高分辨率触摸屏,简单快捷。
2.8方波
2.8.1电压:LV:5-500V/1V增量;HV:505V-3000V/5V增量;
2.8.2脉冲时间:LV:10μs-999μs/1μs增量,1ms-999ms/1ms增量;HV:10μs-600μs/1μs增量;
2.8.3脉冲次数:单样本1-99个;多样本(HTplatehandlermode)1-10个,多120个样本;
2.8.4脉冲间隔时间:0.1-10s;
2.8.5电容:LV:3775μF;HV:85μF;
2.9指数衰减波;
2.9.1电压:LV:5-500V/1V增量;HV:505V-3000V/5V增量;
2.9.2脉冲时间:LV:1ms-5.158s;HV:0.5ms-133.875ms;
2.9.3脉冲次数:1-12次(电阻<100Ω);1-24次(电阻>100Ω),脉冲间隔5-30s;
2.9.4电容:LV:25-3275μF/25μF增量;HV:10,25,35,50,60,75,85μF;
2.9.5电阻:LV:25-1575Ω/25Ω增量;HV:50-1575Ω/25Ω增量;