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SiC 日盲紫外雪崩光电二极管紫外探测器（APD）
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详细信息
日盲紫外雪崩光电二极管紫外探测器（UV APD）的*性在于其只对UV紫外波段响应。由于采用稳定的SiC基底，所以日盲紫外雪崩光电二极管（UV APD）的工作偏压比普通的APD要稍高一些，约180VDC。该UV APD可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代。除了只对UV波段响应这个特点外，日盲紫外雪崩光电二极管紫外探测器（UV APD）还有另外两个优势，一是在较高能量紫外应用下的稳定性，二是高温的稳定性。
主要应用
• 各种低能量UV探测
• 火焰探测
• UV 光子计数
• 低能量的紫外光监控
• 作为PMT 的稳定固态器件替换
参数
灵敏度 | 1nW/cm2 |
增益 | 105~106 |
工作偏压 | ~180VDC |
APD尺寸 | 1.2mm2 |
封装 | QNF-16（4mmx4mm），Pin11正极，Pin2负极 |
