CVD系统 由供气系统+双管管式炉+抽气系统 ，最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。

这款CVD系统是由3路供气系统+TL1200双管管式炉+低真空系统组成

单温区四通道可调真空快速升温双管炉是一种特殊的CVD系统，是专门为在金属箔（像铜箔、铝箔等）上生长薄膜而设计，广泛应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究上，特别适用于碳纳米管、碳纳米线、石墨烯的生长。这款双管式炉以进口电阻丝康泰尔（Canthal）为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。

单温区四通道可调真空快速升温双管炉炉底安装一对滑轨，可用手推滑动。加热和冷却速率最大可达100°C/min。为取得最快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得最快冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速热处理的理想炉子。