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CLA110MB1200NA 艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA

型号
CLA110MB1200NA
参数
应用领域:医疗卫生,电子,交通,航天,汽车 产品种类:半导体模块 电流电压:2*1200V 电流电源:80-100A 封装:标准封装 重量:30G 颜色:黑色
江苏芯钻时代电子科技有限公司

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江苏芯钻时代电子科技有限公司,专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。

公司拥有一支专业的销售人员及技术工程师队伍,并经过专业化的培训及严格的管理,形成良好的经营理念和服务意识,能够为客户提供诸方案设计设计、器件选型等较为专业的技术支持,并努力为客户提供优惠的价格及优质的服务。

我们的客户广泛分布于风力发电系统、光伏发电系统、能源转换、UPS电源、各类变频器、各种高频电源、电焊机、APFSVG、电动汽车、静电除尘、电脑、电信、汽车和军事领域产业等PCB制造商的高品质ICT探针等行业,并与国内众多高校及科研机构建立了良好的合作关系。

我司衷心希望能与更多客户在在今后的合作过程中保持良好的关系,以达到双方的共同发展的目的。客户至上是我们的经营宗旨,诚实可靠,是我们的经营原则。我们愿为新老客户提供优质的产品和完善的服务。









详细信息

艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA


可控硅-主要参数

1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极--阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

可控硅-参数符号说明

IT(AV)--通态平均电流
VRRM--反向重复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流
VTM--通态峰值电压
IGT--门极触发电流
VGT--门极触发电压
IH--维持电流
dv/dt--断态电压临界上升率
di/dt--通态电流临界上升率
Rthjc--结壳热阻
VISO--模块绝缘电压
Tjm--额定结温
VDRM--通态重复峰值电压
IRRM--反向重复峰值电流
IF(AV)--正向平均电流


艾赛斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA 1200V/1600V ,更多品牌系列,请联系客服





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产品参数

应用领域 医疗卫生,电子,交通,航天,汽车
产品种类 半导体模块
电流电压 2*1200V
电流电源 80-100A
封装 标准封装
重量 30G
颜色 黑色

规格类型

1 0元 1000个 可售
企业未开通此功能
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