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威创Viatran 进口压力传感器 5093BPS压阻式传感器是根据半导体材料的压组效应在半导体材料的基片上经而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。

用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和 ，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用遍。

美国威创Viatran 压力传感器 5093BPS

美国威创Viatran 压力传感器 5093BQS

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威创Viatran 进口压力传感器 5093BPS美国威创磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

EMG电动缸LLS 675/02

EMG伺服阀SV1-10/32/315-6

EMG伺服阀SV1-10/8/315/6

EMG伺服阀SV1-10/16/120/6

EMG伺服阀SV1-10/48/315-6

EMG伺服阀SV1-10/16/315-6

EMG传感器KLW 300.012

EMG传感器KLW 150.012

EMG传感器KLW 225.012

EMG传感器KLW 360.012

EMG传感器KLW150.012

EMG传感器KLW225.012

EMG传感器KLW300.012

EMG传感器KLW450.012

EMG传感器KLW600.012

SV1-10/8/315/6 伺服阀 EMG

SV1-10/48/315/6 伺服阀 EMG

SV1-10/32/100/6 伺服阀 EMG

SV1-10/4/120/6 伺服阀 EMG

SV2-16/125/315/1/1/01伺服阀EMG

HFE400/10H滤芯EMG

KLM300/012位移传感器EMG

LLS675/02 LICHTBAND对中整流器EMG

LIC1075/11光发射器EMG

EVK2.12 电路处理板EMG

BK11.02 电源EMG

MCU16.1 处理器EMG

VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG

LID2-800.2C 对中光源发射器EMG

LID2-800.2C 对中光源发射器EMG