从辈份讲，2002是小字辈的，因为生产年代比较晚，大约是2000年。当然，晚出有，因为可以参照别人的成熟技术，采用新的结构设计和元件。

外观上看，与自己的2000六位半、2001七位半同样大小，半宽，这在8位半里。别的八位半都是标准宽度。

指标上看，基本档24小时1.2ppm，明显不如主流8位半的0.5ppm，当然1年指标10ppm也不算很差。电阻基本档1年9ppm，很不错了，甚至比电压档的指标还好，这很少见。尤其是2年指标11ppm，更是少有。

温度系数做的还不错，2V档0.2ppm/C，20V档0.3ppm/C，2k/20k档0.8ppm/C。

直流电流的指标350ppm/a很差，不比2001的400ppm好，34401的还是500ppm/a呢。

交流基本档200ppm/a，二流水平。

转移特性指标做的还不错，20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。这个指标比3458A还差了一倍，但比8508A要好。但是，2002的线性指标0.2ppm不高，因此看来转移特性指标还是有水分。

噪音特性，NPLC=10下基本档为0.6uVrms，还不错，与3458A的0.3uVrms只差一倍。

从测试速度看，这是三款达到每秒6次的高速8位半之一。另外两款中，3458实际测试速度要比指标高很多（10倍），而R6581与指标相等。2002到底，待测试后就见分晓。

外观上看，尽管半宽的面板小，但安排的很紧凑，尤其是显示内容丰富，双排VFD点阵，外加一排状态行，与Advantest R6581类似。

多台收购吉时利2002八位半数字万用表

吉时利KEITHLEY2000，2001,2002,2010万用表应用领域：
 离散和无源元件 
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻（MOV）、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）等等 
 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
 集成器件——小规模集成（SSI）和大规模集成（LSI）
–模拟IC 
–射频集成电路（RFIC）
–集成电路（ASIC）
–片上系统（SoC）器件
 光电器件，例如发光二极管（LED）、激光二极管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、显示器
 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
 太阳能电池
 电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路

测试：
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性

双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计

分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量
纳米级器件和材料的电气测量
提高超高电阻和电阻率测量的可重复性
一种微分电导的改进测量方法
纳米技术准确电气测量的技术
纳米级材料的电气测量
降低外部误差源影响的仪器技术
迎接65nm节点的测量挑战
测量半导体材料的高电阻率和霍尔电压
用微微微安量程测量电流
栅极电介质电容电压特性分析

多台收购吉时利2002八位半数字万用表

评估氧化层的可靠性

的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于*CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器

东莞市苏威尔电子仪器有限公司从2018年起经营仪器仪表，销售-回收-租赁-维修等服务。现拥有精干的工作人员我们“专注产品，用心服务”为核心价值，建立完善的服务体系。竭诚为每一位客户服务！

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