薄膜四探针测定仪使用条件:

(1)环境温度:5-+40℃;

(2)环境相对温度:80%以下:

(3)供电电源:220+22V50+1.5Hz;

(4)不应受到剧烈震动和机械冲击;

(5)空气中不应含有足以腐蚀仪器的灰尘和杂质;

(6)不应受强的电磁场干扰;

(7)通风条件良好。

薄膜四探针测定仪对仲裁测量，报告还应包括对探针状况、电测装置的精度、所测原始数据及处理结果。

接通电流，令其任一方向为正向，调节电流大小见表1所给出的某一合适值，测量并记录所得数据。所有测试数据至少应取三位有效数字。改变电流方向，测量、记录数据。关断电

流，抢起探针装置，对仲裁测量，探针间距为1.59mm，将样品分别旋转30°±5，重复8.4~~8.7的测量步骤，测5组数据，测量结果计算

将操针下降到试样表面测试，使四探行针阵列的中心落在试样中心1.00mm范围内。

对于薄层厚度小于3um的试样，选用针尖半径为100um~250um的半球形探针或针尖率径为50um~125pm平头探针，针尖与试样间压力为0.3N~0.8Ni对于薄层厚度不小于3μ的试

样，选用针尖半径为35um~100pm半球形操针，针尖与试样间压力不大于0.3N.

用干净涂题颗子或吸笔将试样置于样品台上，试样放置的时间应足够长，达到热平衡时，试样温度为23℃±1℃.

测量条件和步骤整个测试过程应在无光照，无离频和无振动下进行。

化学实验室器具，如:期料烧杯，里杯和适用于酸和溶剂的涂期惧子等。试样制备如试样表面洁净，符合测试条件可直接测试，否则，按下列步骤清洗试样后测试:试样在甲醇中源洗

1min。如必要，在甲醇中多次源洗，直到被干燥的试样无污迹为止。将试样干燥。放入氧氧酸中清洗1min。用纯水洗净。用甲醇源洗干净，用氨气吹干。

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法提要

下列文件中的条款通讨本标准的引用商成为本标准的条。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不用干本标准，然而，励根据本标准达

成协议的各方研究是否可使用这些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件，其新版本适用于本标准。GB/T1552硅、储单晶电阻率测定直排四探针法

本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阴。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 um

的薄层，方块电阴的测量范围为10A~5000n该方法也可适用干更高或更低照值方块电阴的测量，但其测量精确度尚未评估。

GB/T6617-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法

GB/T1551-1995硅 锗单晶电阻率测定直流两探针法

GB/T1552-1995硅 锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T6617-2009硅片电阻率测定扩展电阻探针法

电源:220+10%50HZ/60HZ

显示方式:液晶显示

主机外形尺寸:330mm*340mm*120mm

误差:±0.2%读数±2字

量程:1uA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA?

电流输出:直流电流?0~1000mA?连续可调，由交流电源供电。

分辨率:0.1uV1uV10uV100uV

测量精度±(0.1%读数)

测量电压量程:?2mV?20mV?200mV?2V?

测量误差±5%

分辨率: 最小1μΩ

电导率:5x10-6~1x108ms/cm