Opto Diode光电二极管阵列，电子检测的理想选择
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器，以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号，采用40针双列式封装或者22针双列式封装，是电子检测的理想选择。有保护性盖板，以保护光电二极管阵列和导线连接。波威Opto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm²和10mm²，AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸，持续10秒。发货时带有临时盖子，以保护Opto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前，请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。
AXUV16ELG光电二极管阵列的特点,
- 40针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- 保护性盖板

美国Optodiode光电二极管：多像元和阵列探测器

光电二极管提供标准和自定义配置的多元件或阵列探测器，以紧凑的封装提供我们的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优势。

AXUV16ELG   ODD-AXU-023     16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV20ELG   ODD-AXU-033     20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择

AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光电二极管阵列是电子探测的理想选择

Optodiode光电二极管：电子、光子、X射线探测器（AXUV）

AXUV系列探测器的特点是对0.0124nm至190nm的光子、电子或X射线进行高性能测量，并检测100eV至50keV的能量。

型号       描述

AXUV100G     ODD-AXU-010     Large Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV20A       ODD-AXU-026     Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV20HS1   ODD-AXU-036     High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV300C     ODD-AXU-082     Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection

AXUV576C     ODD-AXU-048     Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV63HS1   ODD-AXU-049     High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection    

AXUV63HS1-CH   ODD-AXU-051     High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection

AXUV100G ODD-AXU-010 大型光电二极管是辐射检测的理想选择

AXUV20A ODD-AXU-026 圆形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速环形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光电二极管是辐射探测的理想选择

AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速环形光电二极管，辐射探测的理想选择

AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 带中心孔的高速圆形光电二极管是辐射探测的理想选择

光电二极管：EUV增强型探测器（SXUV）

SXUV系列极紫外（EUV）增强型探测器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的极紫外曝光中具有稳定的响应度，是关键的EUV光测量的理想选择。

SXUV100      ODD-SXU-001      Large EUV Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20C       ODD-SXU-051      EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20HS1   ODD-SXU-004      High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm

SXUV300C     ODD-SXU-044      Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)

SXUV5    ODD-SXU-008      High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)

SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光电探测器（1nm-190nm）

SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪声光电探测器（1nm-190nm）

SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光电探测器（1nm-190nm

SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封装光电探测器（1nm-190nm）

SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光电探测器（1nm-90nm）

光电二极管：集成薄膜、封装和滤光器组件

光电二极管生产集成薄膜滤波器，用于检测太阳EUV辐射、软x射线辐射测量、x射线和EUV光刻、x射线显微镜和XUV光谱。我们还生产滤光窗、日光滤光器和多波长封装组件。

AXUV100TF030     ODD-AXU-019     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF400     ODD-AXU-002     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

SXUV100TF135      ODD-SXU-003      Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉积薄膜滤光片光电二极管具有直接沉积薄膜滤光片

AXUV100TF400 ODD-AXU-002光电二极管

SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉积薄膜滤光片光电二极管