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PHI GENESIS 900 PHI 硬X射线光电子能谱仪
高级会员第9年
生产厂家ULVAC-PHI是超高真空表面分析仪器供应商。专注于研发和生产表面分析仪器,包括光电子能谱仪(XPS)、俄歇电子能谱仪(AES)、飞行时间二次离子质谱仪(Tof-SIMS)和动态二次离子质谱仪(D-SIMS)。通过提供独T的技术解决方案,帮助客户解决各种具有挑战性的问题,从而加速新产品和新技术的发展。产品应用领域包括纳米技术、太阳能技术、微电子技术、存储介质、催化、生物材料、药品以及金属、矿物、聚合物、复合材料和涂料等基础材料。
作为唯1一家能够同时提供高性能XPS、AES和SIMS全系列表面分析仪器的制造商,ULVAC-PHI在全面性和完整性的表面分析解决方案领域拥有独T的地位。
爱发科费恩斯(南京)仪器有限公司成立于2023年11月,创办理念是为一.L的商业产品提供顶.J的创新市场营销和售后服务。作为ULVAC-PHI在中国区域的子公司,负责PHI产品在中国的销售和售后服务。主要客户包括清华大学,复旦大学,上海交通大学,南京大学,西安交通大学,厦门大学,山东大学,吉林大学,华南理工大学,中南大学等国内知.M高校和科研院所。在全国各地都有销售合作伙伴,能够为您提供全.F位的服务。技术专员具备多年超高真空和精密电子分析仪器的使用经验,致力于为合作伙伴提供最.J的产品和服务,以实现最.D的效益。
无需溅射刻蚀的深度探索
下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs),结合使用XPS(A1 Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析,可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。XPS 和HAXPES 的结合使用,可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析,从而避免离子束溅射引起的损伤。
深层界面的分析
在两种x射线源中,只有 Cr Ka XPS 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外,通过比较,光电子起飞角 90°和30°的 Cr Ka谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时,氧化物的强度较高,表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。
内核电子的探测
Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子,通常有多个额外的跃迁可用于分析。
应用领域
主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料,其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪,具有优秀性能、高自动化和灵活的扩展能力,可以满足客户的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用