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MSK-PSE-ALD1010 原子层沉积系统
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生产厂家 深圳市科晶智达科技有限公司2001年成立于深圳,是一家聚焦服务于高校、研究院所、企业研发部门的国家技术企业,长期致力于打造安全、高效、智能的实验研发一站式服务平台,为科学研究与产业孵化赋能。
深圳科晶与美国MTI、合肥科晶、沈阳科晶同属MTI-科晶联盟,目前已经搭建辐射的服务网络,精心为科学家们的实验室提供交钥匙工程解决方案。
深圳科晶创立初期主要为半导体、精密光学器件提供洁净存储和安全转移所使用的包装制品,产品包括各种塑料胶盒、膜盒、晶圆盒、海绵盒、花篮等。
公司2008年开始进行材料相关研发设备和锂电池实验设备的开发,经过十多年的积累深圳科晶现已成为新能源和新材料基础研究、小试与中试、测试与评估的整体解决方案规划者和提供者,产品应用涵盖了石墨烯材料、*陶瓷、*纳米材料、锂离子电池、超级电容器、燃料电池、固态电池、钙钛矿太阳能电池、功能薄膜等方向。
主要产品系列:按应用与工艺更新产品系列
• 材料基础研究实验装备(包括混料、涂覆、镀膜、压制、烧结、切割、研磨、抛光、粉碎、制粉、造粒、熔炼等);
• 电池研发实验制备装备(包括锂离子电池、固态电池、超级电容器、金属空气电池、钠离子电池、液流电池、太阳能电池等制备方案);
• 电池安全测试装备(符合GB31241 、GB31485、IEC62133、UN38.3等国内标准等);
• 锂离子电池中、小试生产制备全流程系统装备方案,交钥匙工程(包括扣式、柱状、软包、方形铝壳等各种全电池制备方案);
• 燃料电池研发实验制备装备(包括固体氧化物、质子交换膜燃料电池等制备方案);
• 钙钛矿太阳能电池研发实验制备;
• 功能薄膜研发实验设备(包括混料、涂布、辊压/复合、分切、复卷等);
• 高通量材料基因组实验设备(包括配液、配粉、混合分散、压片、烧结、测试表征等);
公司设立了开放的研发实验室和设备体验中心。对于锂电池行业,可实现公斤级别材料制备及电池研发,能接受上门小批量材料验证、定向工艺研究及小量成品电池制备等研发工作。
深圳科晶强大的研发团队支撑了丰富的产品链,针对现有产品具有*知识产权的发明和实用新型共40多项(包含PCT和国内发明),并参与行业多项标准制定且获得多个行业协会认可。
本着“精诚合作、创新共赢”的宗旨,深圳科晶先后与清华大学、南开大学、上海交通大学、深圳大学、中航发航材院、溧阳天目湖研究院等十多个高校机构和企业签署产学研合作。与此同时,深圳科晶设立了对外服务的公共试验平台,承接科研人员参观交流与现场测试体验,配备行业资深的售前技术人员协助研究者充分了解相关工艺和设备,缩短调研考察与决策时间。该实验室平台也可以承接相关工艺试验服务和培训咨询服务,协助细分领域的科研工作者快速掌握产业工艺,从而专注前沿研发。
材料科学是基础科学。纵观人类科技的发展历史,新型材料的发现和应用将带来巨大的产业机遇,而*实验装备和仪器是为科研和应用保驾护航的重要保障。科晶团队将一如既往秉承“客户为本,技术为导,诚信为基,积极创新”的运营理念 ,竭力为科学研究和科技发展做出贡献。
MSK-PSE-ALD1010原子层沉积系统
功能特点 |
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外热式反应腔体,加热结构在真空室外,反应腔室维护保养无需拆卸腔室加热器或样品台加热器;
配有可拆卸片托,支持100mm*100mm方片及以下尺寸的样品;
3路前驱体源系统(包括2路金属源和1路水源);
高性能真空系统和残余前驱体源处理热阱;
自动控制沉积系统和工艺压力实时检测显示;
可置于手套箱底部与手套箱对接;
可视化的操作界面,实时显示系统各部分运行状态,可方便的调节温度、流量、脉冲时间等参数,编辑并保存配方参数;
多用户权限分配,软硬件互锁,异常报警、紧急停机等功能确保安全性;
沉积模式可设为连续模式或停流模式;
外置移动支架显示器操作。
MSK-PSE-ALD1010原子层沉积系统
技术参数 | ||
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电源 | 三相五线制AC380V±10%,频率50Hz/60Hz,功率约12KW | |
反应腔体 | 腔室 | 外热式单腔腔室 |
样品尺寸 | 最大100mm*100mm方片及以下尺寸 | |
反应温度 | 最高150℃ | |
前驱体源系统 | 金属源 | 2路标准加热前驱体源 配置Swagelok高温快速ALD阀(响应时间<10ms)、手动隔膜阀和50mL不锈钢源瓶 源瓶及管路加热温度室温至200℃ |
水源 | 1路水源 配置Swagelok高温快速ALD阀(响应时间<10ms)、手动球阀和50mL不锈钢源瓶 | |
载气系统 | 2路载气系统 全套管路+VCR密封,前驱体源管路具有在线清洗功能 | |
真空系统 | 极限真空 | 小于5×10-3Torr |
真空漏率 | 小于5×10-7Pa·L/s | |
真空泵抽速 | 40m³/h | |
其他配置 | 真空泵前级配置热阱,加热温度最高600℃,控制精度±1℃,用于吸附、分解未反应的前驱体源 | |
真空计 | 真空计前设有保护真空计的高效过滤网,沉积过程中可以实时监测显示腔室压力的变化 | |
主机 | PLC+4U工控机+显示器 |