1. 产品概述

Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD）是一款先进的薄膜沉积设备，它结合了电感耦合（ICP）和电容耦合（CCP）技术，为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。

该设备通过高密度等离子体的产生，实现了极低的沉积温度，这不仅能够保护基材，减少热损伤，还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积，尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现。

此外，Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件，这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件，确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准，确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。

在产品性能方面，Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为制造过程中的理想选择，适合用于大规模生产和研发实验。

2. 系统特性

可在低温（<120°C）下沉积高致密薄膜，其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜

可有效降低等离子体损伤，从而降低漏电，漏电流密度与原子层沉积（ALD）制备的薄膜相当

可提供高深宽比薄膜填充工艺

可选8/6英寸电，适用于不同尺寸的晶圆