半导体封装材料TSDC测试系统

热刺激理论是在介质物理的基础上发展起来的，研究这一理论的方法即热刺激法比较简单实用而且又能较准确地测量出某些物质（如电介质、绝缘材料、半导体、驻极体等）的微观参数，热刺激法是一面对材料升温一面进行测量，即非等温测量。由于材料（例如介电材料）中的荷电粒子的微观参数（如活化能h、松弛时间τ等）不同，用热刺激法就很容易将材料中的各种不同h或τ的荷电粒子分离开来，从而求出各自的参数。因为热刺激电流与材料的这些参数（如h与τ）密切相关，故它是一种研究介电材料、绝缘材料、半导体材料等的有效手段。tsc是指当样品受到电场极化后，去掉电场，热激时，样品从极化态转变到平衡态的过程中，在外电路中得到的电流，称为热激退极化电流。

一个系统就可以进行块体陶瓷材料的热激发极化电流TSDC、电阻和铁电进行综合评价，设备可以远程接入华测远程服务平台，可针对用户应用和要求的硬件升级服务，对用户远程指导及技术支持

特点：

支持的硬件：

内置或外置的高压放大器（+/-100V到+/-10 kV）

块体陶瓷样品夹具

温度控制器和温度腔

测试功能：

热释电测试

漏电流测试

疲劳测试

用户定义激励波形

半导体封装材料TSDC测试系统系统原理：

介质材料在受热过程中建立极化态或解除极化态时所产生的短路电流。基本方法是将试样夹在两电极之间，加热到一定温度使样品中的载流子激发，然后施加一个直流的极化电压，经过一段时间使样品充分极化，以便载流子向电极漂移或偶极子充分取向，随后立即降温到低温，使各类极化“冻结”，然后以等速率升温，同时记录试样经检流计短路的去极化电流随温度的变化关系，即得到TSDC谱“冻结”，然后以等速率升温，同时记录试样经检流计短路的去极化电流随温度的变化关系，即得到TSDC谱

系统应用：

广泛应用于电力、绝缘、生物分子等领域，用于研究材料的一些关键因素，诸如分子弛豫、相转变、玻璃化温度等等，通过TSDC技术也可以比较直观的研究材料的弛豫时间、活化能等相关的介电特性。TSDC技术也可以比较直观的研究材料的弛豫时间、活化能等相关的介电特性。

主要技术参数：

极化电压：±0-10kV（最大电压）

极化电流：10fA~20mA

控温精度：±0.5℃

测量精度：0.05%

升降温速率快：0.01~ 30 ℃/min

温度范围宽：- 185 ~ 500 ℃

升降温速率快：(0.01 ~ 30)℃/min

多种独立变量：温度、极化电压、极化时间、升降温速率等

多种测量模式：

热激励去极化、热激励极化、等温极化时域、等温电导率时域、等温弛豫谱等

多种测量参数：样品电流、电流密度、电荷变化、介电常数变化等

通讯：USB接口