国产光刻机是一款专用于中小规模集成电路、半导体元器件以及声表面波器件的研制和生产的先进设备。其出色之处在于其高度先进的找平机构，可以实现对多种材料的高精度曝光，包括硅片、玻璃片、陶瓷片、铜片、不锈钢片和宝石片等。

　　工作方式方面，C-43型9英寸国产高精度光刻机采用一次性光刻曝光，即在一次操作中完成曝光的整个过程。

　　国产光刻机主要技术指标：

　　设备配备了一件承片台，其尺寸可以根据用户的需求进行定制。

　　曝光头采用了多点光源曝光头，其性能特点如下：

　　出射光斑直径不超过230mm，采用高压直流汞灯，功率为350W。

　　在直径为230mm的范围内，光的不均匀性小于±10%。

　　能够在真空密封条件下进行曝光。

　　曝光时间可以通过0.1～999.9秒的时间继电器进行设定。

　　汞灯的位置可以通过精密的x、y、z调节装置进行调整，分别可以调节±5毫米。

　　具备风扇冷却装置。

　　分辨率不低于5μm。

　　具备真空吸片功能。

　　具有真空密封和反吹气的功能，通过调节密封真空的大小可以实现硬接触曝光（密封真空≤-0.05Mpa）、软接触曝光（密封真空在-0.05Mpa～-0.02Mpa之间）和微力接触曝光（密封真空≥-0.02Mpa）。

　　C-43型9英寸国产高精度光刻机主要配置：

　　一台多点光源曝光头，支持一次性曝光。

　　曝光面积不小于φ230mm。

　　曝光不均匀性小于±10%。

　　曝光强度不低于5mw。

　　曝光分辨率不高于5μm。

　　曝光模式为单面曝光。

　　支持多种掩膜版尺寸，包括3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、7英寸、8英寸、9英寸。

　　基片厚度不超过5mm。

　　曝光灯功率为350W。

　　曝光定时范围为0～999.9秒，可调。

　　电源要求为单相AC220V50Hz，功耗不超过1kW。

　　需要洁净压缩空气压力不低于0.4Mpa。

　　可以实现真空度在-0.07Mpa～-0.09Mpa之间。

　　设备尺寸为700×650×1200毫米（长×宽×高），重量约为110kg。

　　备件包括一台真空泵、一只汞灯和15米φ8气管。