LK Technologies低能电子衍射仪真空组件

自1998年以来，LK一直在全球范围内提供LEED低能电子衍射仪系统。

RVL2000低能电子衍射仪(LEED)的精密反向LEED低能电子衍射仪光学元件采用所有UHV结构，无需使用玻璃纤维或聚合物涂层线束。提供完整系列的型号和选件，包括低电流（nA，pA）MCP型号。所有光学器件均采用4网格结构，以实现与俄歇电子能谱AES连用

• 采用4格钨光学元件的精密结构

• 微型1.59厘米直径电子枪

• 103度可用视角

• 0.5％的能量分辨率

• 提供可伸缩光学元件（标准2英寸和最大4英寸缩回）

• 安装法兰具有整体视口和电气穿通装置

• 与UHV兼容（不使用聚合物涂层或玻璃纤维绝缘线）

• 低噪音，高性能的俄歇电子设备，带有集成锁定放大器

• MCP版本的pA和nA电流水平

• 全系列选项包括低调快门，CCD摄像头和软件，6英寸和8英寸外径法兰型号

• LK Technologies低能电子衍射仪真空组件

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• HREELS高分辨电子能量损失谱仪在分辨率和信号水平方面表现全球。现在结合我们的多通道分析仪选件（EA5000MCA），可实现数据采集速度。用于研究表面分子振动，表面声子和等离子体以及电子能级和能带隙。

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• 超高分辨率0.5 meV FWHM

• 在1.0 meV分辨率（FWHM）下保证探测器电流大于或等于10pA

• 采用具有可控角度像差的新型静电偏转器

• 具有菜单驱动软件的低噪声数字控制电子设备

• 用户可选择的扫描范围高达50 eV，适用于电子振动/电子应用

• LK1000M电子枪有出色能量分辨率的电子源，针对高输出电流进行了优化 应用于逆UPS，EELS等电子碰撞实验。

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• 低于10 meV的能量分辨率可通过能量调节

• 在20 meV能量分辨率下，典型输出电流> 10 nA

• 单通道双聚焦单色器，具有空间电荷优化功能

• 5元素变焦镜头/转移镜头，适用于长工作距离

• 整体磁屏蔽

• 除了表面分析组件外，LK Technologies还专门设计和构建完整的特高压系统，这些系统通常结合了LK组件和其他制造商的多种表面分析方法。

• 这些系统的常见元件是精密UHV室，主泵（通常是离子泵），辅助泵（通常是涡轮分子），精密样品操纵器，安装框架和真空计量。客户通常要求的可选组件是快速样品引入系统（加载锁定）和烘烤控制。

• 请联系LK获取更多信息，并讨论您的自定义系统要求。多探针分析系统是全球实验室提供的一个例子：

• 多探针分析系统，包括XPS分析，X射线单色仪，半球形分析仪，AES，ISS，多通道HREELS和带有快速样品加载系统的完整样品制备室。

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LK-Technologies强大，流行的离子源设计用于通过离子溅射清洁表面，光束能量高达3 keV，典型离子电流高达30μA。该喷枪采用了一种新颖的气体喷射系统，该系统允许在典型的1×10 -6托的腔室压力下进行溅射。

• 气体注入系统避免了昂贵的差动泵送设备

• 低室压下的惰性气体溅射

• 宽离子束确保均匀溅射

• 与普通溅射清洁和ISS应用兼容

• 连续可调谐的电压从200 V到3 kV

• 带USB或以太网接口的数字控制电子设备