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晶锭涡流法电阻率测试仪
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晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率测试仪，少子寿命测试仪
公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。
主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率（霍尔）测试仪、少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
凭借*的技术和丰富的产品设计经验，申请各项知识产权20余项，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
详细信息
可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部布局矩阵，涡流传感器有一个非常好的长期稳定性因此，每个电阻率图都是测量表面接地度的几何图。电阻率可与少数负载流子消耗和光电导率图同时测量。在进行电阻测量时，需要用户提供样品的厚度。
步径≥1mm
边缘：12mm
电阻率片厚：150-250μm
电阻率范围
默认设置：0.5-5 Ohm cm
准确度：< 3%
重复性：< 1%(范围从0.5-3 Ohm cm)
为了研究发射极扩散的均匀性，有可能出现较弱的发射极的方阻。基础的电阻率由用户给出。
方阻测量范围为0.1-200 Ohm/sq。
以标准样品量下的准确度，
0.1-10 Ohm/sq：< 3 % 精度
10-100 Ohm/sq：< 3 % 精度
100-200 Ohm/sq：< 3 % 精度
