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IT2805R 高精密源测量单元

型号
IT2805R
参数
产地类别:进口 应用领域:综合
上海骋利电子科技有限公司

高级会员5年 

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上海骋利电子科技有限公司是一家从事代理,经销仪器仪表,电子配套设备的综合性企业,秉承"诚信经营、 用心服务、客户至上、共谋发展"的宗旨,致力于电子测量及工业测试领域,竭诚为国内外制造,研发检测提供仪器设备和全方面测试方案,深得广大用户的信赖和支持。

 

详细信息

IT2800系列高精密源测量单元

IT2800系列是外观紧凑、经济高效的台式源测量单元,简称源表或SMU。它集6种设备功能于一体,综合了四象限电压源,电流源,6.5位数字万用表、脉冲发生器、电池模拟器以及电子负载功能。可搭配ITECH SPS5000系列半导体参数测试软件实现高效的半导体器件特性表征测试。全系列覆盖了10fA到10A的电流范围以及100nV到1000V的电压范围。除了直流工作模式之外,IT2800系列SMU还能够进行脉冲测量,以防止器件自身发热导致测量结果出现误差。5寸触摸显示屏,使源表具有出色的图形用户界面以及各种显示模式,帮助工程师显著提高测试效率。广泛应用于分立半导体器件、功率芯片、无源器件、光电器件、微功耗量测以及材料研究等领域。

电子器件的许多重要参数与电阻率及其分布的均匀性有密切的关系,例如二极管的反向饱和电流,晶体管的饱和压降和放大倍数β等,都直接与硅单晶的电阻率有关。因此器件的电阻率测试已经成为芯片加工中的重要工序,对其均匀性的控制和准确的测量直接关系将来能否制造出性能更优功率器件。 不同于使用万用表测量常规导体电阻,半导体硅单晶电阻率以及微电子领域的其他金属薄膜电阻率的测量属于微区薄层电阻测试,需要利用微小信号供电以及高精密的量测设备,包括测试接线方式上,也需要利用四线制的接法来提升测量结果的准确性,行业内称为四探针测试法。 什么是四探针测试法? 四探针技术可测试对象主要有:晶圆片和薄层电阻,例如硅衬底片、研磨片、外延片,离子注入片、退火硅片、金属膜和涂层等。利用探针分析可检测整个芯片表面薄层电阻均匀性,进而判断离子注入片和注入工艺中存在的问题。 四探针法按测量形状可分为直线四探针法和方形四探针法。 1)直线四探针法 直线四探针测试法的原理是用针距为1mm的四根探针同时压在样品的平整表面上,利用恒流源给外面的两个探针通以微小电流,然后在中间两个探针上用高精密数字万用表测量电压,最后根据理论公式计算出样品的电阻率,电阻率计算公式:,S代表探针间距。 直线四探针法能测出超过其探针间距三倍以上大小区域的不均匀性。 测试设备:不同探针间距探针台+IT2806高精密源表+上位机软件PV2800 IT2806 高精密源表(简称SMU):集六种设备功能于一体(恒流源、恒压源、脉冲发生器、6.5位DVM、电池模拟器,电子负载)。在电阻率的测试中,可将IT2806高精密源表切换至恒流源模式,在输出电流同时量测中间两探针之间的微小压降,并搭配免费的PV2800上位机软件,自动得出电阻率的测量结果。

测试精度高:高达100nV/10fA分辨率,电流量测精度最高可达0.1%+50pA,电压量测精度最高可达0.015%+300uV;提供正向/反向电流连续变化测试,提高测试精度。 2)方形四探针法(如范德堡法) 范德堡法适用于扁平,厚度均匀,任意形状且不含有任何隔离孔的样品材料测试。相比较直线型四探针法,对样品形状没有要求。测试中,四个探针接触点必须位于样品的边缘位置,测试接线方式也是在其中两个探针点提供恒定电流,另外两个点量测电压。围绕样品进行8次测量,对这些读数进行数学组合来决定样品的平均电阻率。详细测试方法可参见ASTM标准F76。

总结:利用IT2800系列高精密源/测量单元可以精准实现半导体薄层电阻的电阻率测试,为半导体制造工艺的改进提供数据依据。IT2800 SMU因其高精度测量和丰富的探针台治具优势,为行业提供专业的测试解决方案。

  • 型号
    电压
    电流
    功率
    分辨率
    精 度
    接 口
    尺寸
  • IT2806R
    ±200V
    ±3A直流,±10A脉冲
    ±20W
    100nV/10fA(电源)
    100nV/10fA(测量)
    ±0.015%+300uV(200mV范围)/±0.06%+100pA(100nA范围)
    USB/LAN/Digital IO,标配三同轴输出端子
    1/2 2U
    询价
  • IT2805R
    ±200V
    ±1.5A
    ±20W
    1uV/100fA(源)
    100nV/10fA (测量)
    ±0.015%+300uV(200mV范围)/±0.06%+100pA(100nA范围)
    USB/LAN/Digital IO,标配三同轴输出端子
    1/2 2U
    询价
  • IT2801R
    ±1000V
    ±1A
    ±20W
    100nV/1pA(Source)
    100nV/1pA(Measure)
    0.015%+300uV(200mV 范围) 0.025%+300pA(1uA范围)
    USB/LAN/Digital IO,标配三同轴输出端子
    1/2 2U
    询价
  • IT2801
    ±1000V
    ±1A
    ±20W
    100nV/1pA(Source)
    100nV/1pA(Measure)
    0.015%+300uV(200mV 范围) 0.025%+300pA(1uA范围)
    USB/LAN/数字IO
    选配GPIB
    1/2 2U
    询价
  • IT2805
    ±200V
    ±1.5A
    ±20W
    1uV/100fA(源)
    100nV/10fA (测量)
    ±0.015%+300uV(200mV范围)/±0.06%+100pA(100nA范围)
    USB/LAN/数字IO
    选配GPIB
    1/2 2U
    询价
  • IT2806
    ±200V
    ±3A直流,±10A脉冲
    ±20W
    100nV/10fA(电源)
    100nV/10fA(测量)
    ±0.015%+300uV(200mV范围)/±0.06%+100pA(100nA范围)
    USB/LAN/数字IO
    选配GPIB
    1/2 2U
    询价
收起全部
*以上规格如有变动,恕不另行通知
产品特点
♦ 5英寸触摸显示屏,提供直观的图形化和数字化显示模式
♦ 集六种设备功能于一体:电压源、电流源、6 ½数字万用表(DCV,DCI, ohms)、电池模拟器、电子负载及脉冲发生器
♦ 四象限输出及量测功能,支持两线制和四限制量测
♦ 分辨率最高可达10fA/100nV,采样率最高可达10us

♦ 图形视图、范围视图及记录视图三种图形显示模式

♦ 扫描扫描模式:线性/日志/脉冲线性/脉冲日志及清单
♦ 多达16台设备同步功能,具备并行测试能力
♦ 内建电阻、功率和Math测量功能
♦ 前置USB接口用于数据存储、截屏或测试配置导入
♦ 丰富的内置接口:Digital IO、USB、LAN

♦ IT2800和IT2800R两种机型可选,IT2800R支持后背板三同轴输出

♦  可选配专业半导体参数测试软件SPS5000,加速器件特性表征测试

产品功能与优势

六合一高精密源表,降低测试成本

传统的半导体I-V特性测量方案通常是复杂且成本昂贵的,需要多种仪器配合完成测试,如电压/电流源,脉冲发生器,高精密电 压/电流表等。不仅占用有限的测试台架空间,同时工程师需要编程实现多台设备的控制及同步,才能确保测试结果的准确度。
IT2800系列SMU为工程师提供了一种即经济又高效的解决方案。它集六种设备功能于一体,将不同输出和测量能力整合到紧 凑的1/2 2U尺寸中,可精确地输出电压或电流以及同时测量电压和/或电流。它兼具以下仪器的功能:四象限电压源、电流源、61/2数字万用表、脉冲发生器、电池模拟器以及电子负载。

高精密源测量单元



直观的图形化显示,快速获取产品特性

IT2800系列SMU的前面板有许多功能,以提高交互式使用的速度,用户友好性和易操作性。这些功能包括5英寸彩色LCD触摸显示屏,USB 2.0 memory I/O端口、一个旋转导航按钮、trigger按键、功能按键以及主流的香蕉插座。USB2.0内存端口支持轻松的数据存储,测试配置文件导入以及系统升级。IT2800提供图形化和数字化两种测量结果显示模式,直观的Graph view,Scope view以及Record view视图,极大地提高了台架测试和I-V特性分析的效率。


高精密源测量单元



标准扫描和列表扫描功能

IT2800系列SMU具备标准和列表LIST扫描功能。标准SWEEP模式下,支持线性和对数模式,单次和双次扫描功能以及恒定和脉冲扫描功能。列表LIST扫描功能可以有效地执行任意波形输出,在表征响应随应用电压或电流而变化的测试中非常有用,用户可以使用Excel导入或面板编辑的方式,生成一个任意形状的扫描曲线,最多可以导入99999点数据,是U-I和I-U特性测试的理想选择。

高精密源测量单元



电池模拟器功能

得益于源表的四象限工作特性,IT2800系列产品不仅可作电压源,电流源,6位半数字万用表,还内置了专业的电池模拟器功能,以帮助工程师更好地研究电池特性对DUT功耗及性能可靠性的影响。您可以通过自定义(SOC-VOC-R)或常规参数设定模式快速生成电池曲线,并可以任意zhi定电池的初始SoC状态,而无需像使用真实电池一样等待充电或放电,极大地提升了研发和生产测试效率。



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