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CY-RTP1000-Φ200-300-T 卤素灯RTP退火炉

型号
CY-RTP1000-Φ200-300-T
郑州成越科学仪器有限公司

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郑州成越科学仪器有限公司位于郑州市*开发区,是一家专业从事材料制备设备研发、生产和销售为一体的高科技公司。重点专注于CVD石墨烯制备设备、荧光粉烧结设备、氧化锆生物陶瓷烧结、纳米材料制备、电池材料制备、陶瓷材料的微波烧结、稀有金属的区域提纯等研究发展方向。

郑州成越科学仪器有限公司的研发团队凭借自身在热处理技术方面的专业知识和丰富的实践经验,先后研发出了多款*材料制备设备。主要产品有:微波烧结炉、真空管式炉、箱式电阻炉、高频感应炉、氧化锆烧结炉、荧光粉烧结炉、晶体退火炉、电池材料烧结炉、旋转管式炉、立式管式炉、CVD管式炉等;

其他的产品还有:等离子清洗机、真空手套箱、真空干燥箱、环境模拟测试柜、行星球磨机、高纯石英管、99刚玉管、真空法兰等。

近年来,在社会各界的关心支持下,公司不断发展壮大,与国内外多所高校和科研单位建立起了合作关系;公司还聘请了多位国内外重点高校的教授,博导为公司常年的技术顾问,他们时刻与国内外学术界保持交流,出国访问,并亲临一线指导产品的生产和研发,使我公司的产品不断完善,并紧跟世界研究热点,推出相关的新产品。产品远销欧美、日韩等国家,并在国内外市场获得业界*好评。

如果您正在被国货的产品质量所困扰,选择我们将改变您对国货的某些观念;如果您正在为自己的实验方案的实施而茫然,选择我们将有专业的技术团队为您量身定做!如果您正在为故障设备的售后无人理会而发愁,选择我们一切的问题将由我们负责到底。郑州成越科学仪器有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。


详细信息

简单介绍:

卤素灯RTP退火炉是一款6寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制**,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。


技术特色:

 • 真正的基片温度测量,无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 结构紧凑,小型桌面系统

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境,真空度标准值为5×10-3Torr,采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体(MFC控制)

• 没有交叉污染,没有金属污染

真实基底温度测量技术介绍:


卤素灯RTP退火炉


如上图,由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度,由于热电偶与基片有一定距离,测量的不是基片真实的温度,必须进行温度补偿。

 

  采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温,如上图,接触测温仪与片状Real T/C KIT相连,工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置,阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,片状Real T/C KIT同时被加热,由于基片与Real T/C KIT很近,它们之间也会进行热量传递,并很快达到热平衡,所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度,从而实现基片温度的真实测量。

技术参数:


产品名称

卤素灯RTP退火炉

产品型号

CY-RTP1000-Φ150-T

基片尺寸

6英寸

基片基座

石英针(可选配SiC涂层石墨基座)

温度范围

150-1250

加热速率

10-150/S

温度均匀性

≤±1.5% (@800, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

温度控制精度

 ±3

温度重复性

 ±3

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

气路供应

标准1N2吹扫及冷却气路,由MFC控制(*多可选3路)

退火持续时间

35min@1250

温度控制

快速数字PID控制

尺  寸

870mm*650mm*620mm


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