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非接触霍尔迁移率
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晶圆电阻率测试仪，硅片电阻率测试仪，涡流法低电阻率分析仪，晶锭电阻率分析仪，迁移率测试仪，少子寿命测试仪
公司成立于2021年，是一家注册在苏州、具备技术的非接触式半导体检测分析设备制造商。公司集研发、设计、制造、销售于一体，主要攻克国外垄断技术，替代进口产品，使半导体材料测试设备国产化。
主要产品：非接触式无损方块电阻测试仪、晶圆方阻测试仪、方阻测试仪、硅片电阻率测试仪、涡流法高低电阻率分析仪、晶锭电阻率分析仪、涡流法电阻率探头和PN探头测试仪、迁移率（霍尔）测试仪、少子寿命测试仪，晶圆、硅片厚度测试仪、表面光电压仪JPV\SPV、汞CV、ECV。为碳化硅、硅片、氮化镓、衬底和外延厂商提供测试和解决方案。
凭借*的技术和丰富的产品设计经验，申请各项知识产权20余项，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备提供商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
详细信息
在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间
霍尔迁移率（Hall mobility）是指霍尔系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲，因此特别称为霍尔迁移率，表示为μH =│RH│σ。12
定义和计算方法
霍尔迁移率是霍尔系数RH与电导率σ的乘积。在简单情况下，霍尔迁移率μH等于载流子的电导迁移率μ，但在考虑速度分布的情况下，两者可能不相等。只有在不考虑速度分布的情况下，霍尔迁移率才等于电导迁移率。
应用领域
霍尔迁移率在电子材料中是一个重要指标，特别是在GaN基HEMT结构材料中。高电子迁移率可以提升器件的工作速度和效率，减少膝点电压，从而使器件在较高频率下工作，具有更高的效率。
在霍尔效应传感器中，自由电子的移动能力通过迁移率来量化，这是衡量电子在材料中移动难易程度的关键指标。迁移率典型范围一般在5至50平方厘米/伏秒之间
