半导体检测

使用单颗粒 ICP-MS 在反应模式下分析SiO2纳米颗粒

2021-05-26619
检测样品
SiO2纳米颗粒
检测项目
测量和表征
应用领域
电子/电气

珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司

高级会员16
方案概述
本工作将讨论在反应模式下,通过 SP-ICP-MS 检测、测量和表征 SiO2 纳米颗粒的能力。
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方案详细说明
随着纳米技术的发展,纳米颗粒在各类产品和工艺中得到了广泛应用,人们对纳米颗粒的表征要求也越来越高。
 
针对各类产品和工艺,人们制造且应用了不同成分的纳米颗粒,如油漆、材料的强化、半导体工艺中的精细抛光,以及对药品和食品的除湿,防止其受潮。二氧化硅(SiO2)纳米颗粒是日本第二大国产纳米材料,仅次于炭黑。1
 
使用 ICP-MS 测量硅(Si)富有挑战性。等离子体中形成的 14N2+和 12C16O+ 多原子离子,与丰度最高的 Si 同位素(28Si ≈ 92 %丰度)的 m/z 相同。因此,当多原子离子未被去除时(标准模式下),m/z28 处的背景等效浓度非常高。它抑制了低水平 Si 的测定,让 SiO2 纳米颗粒的检测变得更加困难。此外,Si 的电离势相对较高,其电离也更具挑战性,导致其强度低于其它易电离的元素,如 Na。
 
然而,如果能提高信背比(S/B),就有可能检测到更小的 SiO2 纳米颗粒。在之前的应用报告中,2 我们介绍过 100 nm SiO2 纳米颗粒标准品可以使用 SP-ICP-MS 进行分析,且无需去除干扰(标准模式 下)。然而,如果能在反应模式下去除干扰,预期能精准测量更小的 SiO2 纳米颗粒。
 
本工作将讨论在反应模式下,通过 SP-ICP-MS 检测、测量和表征 SiO2 纳米颗粒的能力。
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