等离子体改性及刻蚀结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点，可在宽密度工艺范围（109-1013cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD，具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围，是目前功能强大的等离子体CVD系统。

　　

　　原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统。频率可调节，从低频0.5-4MHz范围内调节；电感天线是平板式，可根据客户要求改变天线的形状、大小，从而实现两种不同的放电模式：电感放电和电容放电，两种模式下都能实现稳定放电，两种模式的等离子体特性截然不同，可以实现不同的功能。
 

　　

　　等离子体改性及刻蚀机理的解释适用于所有类型的等离子体技术，不局限于RIE。通常，等离子体刻蚀是化学刻蚀，不是物理刻蚀，这意味着固体原子与气体原子反应形成化学分子，然后从基片表面移除形成刻蚀。因为VDC的存在，通常存在一定的基片溅射，对于大量的刻蚀，物理刻蚀效应很弱可以被忽略。

　　

　　几个主要的刻蚀过程为：

　　

　　1、形成反应粒子；

　　

　　2、反应粒子到达Wafer表面并被吸附

　　

　　3、Wafer表面化学吸附反应，形成化学键，并形成反应产物；

　　

　　4、解吸附化学反应产物，并在Wafer表面移除，抽离腔室。

　　

　　等离子体改性及刻蚀速率，因为电子密度和能量与VDC相关联，故以上的化学反应过程与速率相对应；离子轰击可以造成Wafer表面的建设损伤；而离子轰击的能量与VDC相关,VDC越高轰击越强；离子轰击还会对刻蚀形貌有一定的影响等等对于非易挥发性副产物，通过一定的离子轰击可以将副产物解离形成易挥发性产物，使本身在易在Wafer表面已形成的膜层消失。