热激光激发显微镜采用Thermal Laser Stimulation - TLS技术,配备高清光学显微镜和高功率激光器,高精度聚焦定位集成电路板元器件进行失效分析。
热激光激发显微镜TLS的激光束可局部加热元器件,读取晶体管电流消耗数据，评估电子元器件失效与否。
热激光激发显微镜TLS还可以集成激光故障注入系统，实现激光斑点1um 到13um聚焦。
热激光激发显微镜TLS采用单模激光器,脉宽可从1ns到连续波模式可调，重复频率从单发射到250MHZ可调，峰值功率高达1.2W,可穿透各种集成电路板和硅片。
热激光激发显微镜TLS特色

可增配激光故障注入功能模块

激光斑点1um~13um

峰值功率高达1.2W

配备高精度XYZ定位台

高分辨率红外视图

热激光激发显微镜TLS规格参数

激光器部分参数

激光波长：1310nm 或1420nm

连续激光功率：300mW

峰值激光功率：1.2W

脉宽：3ns 到连续波

重复频率：单发射到连续波

激光斑点：1um~13um

控制命令接口：TTL/LVTTL

视图观察部分

视图：高分辨率红外相机，IR照明系统

定位台部分

轴数：XYZ三轴

行程：52mm

分辨率：0.315um

重复精度：+/-0.8um

最大速度：20mm/s