Ce:YAG荧光片和LuAG:Ce荧光单晶片是利用YAG发光材料原理为高功率白光LED制造设计的Ce:YAG荧光晶体材料,取代Ce:YAG荧光陶瓷和Ce:YAG荧光透明陶瓷,适合制作LED贴片,SMD LED贴片。
Ce:YAG荧光单晶片专业为高功率白光LED而设计，对于蓝光InGaN发射发光二极管的波长转换而言,Ce:YAG单晶是一种智能,精准和高效的白光LED荧光发光材料。由Ce:YAG荧光单晶制成的单晶片为高功率LED事业提供了***佳方案，其效率超过150LM/W，是单晶荧光粉末或多晶荧光粉的理想替代产品，也是Ce:YAG荧光陶瓷的有效替代品。

Ce:YAG荧光片是替代多晶YAG荧光片和透明荧光陶瓷的理想材料
Ce:YAG荧光单晶片主要特性*势
* 后向散射少，自吸收少，*高的转换效率，*大光强
荧光粉和多晶材料的颗粒边界容易把光束散射到发光非有效方向，造成效率低下。而这种Ce:YAG荧光单晶片只需要克服一个边界的影响，具有***少的寄生吸收。

* 产生热量少，LED寿命长
Ce:YAG单晶荧光片具有*高的热导率，可帮助芯片散热。同时，芯片也不会经受后向散射产生热量，有助于降低LED芯片的老化，使得LED寿命*长。
* 热稳定性*，温度淬灭少
与其它荧光粉相比，这种Ce:YAG单晶荧光片在相对高温时也能产生*多的光，避免LED在gao端应用中变暗，LED温度淬灭*少。
* 质量均匀可靠，*少的分选工作
Ce:YAG单晶荧光片具有稳定的特性，LED制造企业不需要对其分选或分类，有助于提高生产效率，*化生产成本。
* 光谱范围可变，色彩表现*佳
YAG:Ce单晶荧光片可被调谐到多个波长范围，可制成产品覆盖CT2700-6500K的范围。
* *长的持久性
单晶Ce:YAG荧光屏具有良*的抗划伤能力和抗热退化能力，这种物理特性决定了这种荧光片不仅是LED芯片的理想转换材料，同时也是LED理想的保护性材料。
* *价的经济性，使用成本*低
与荧光粉和多晶材料相比，这种单晶Ce:YAG荧光片具有*低的使用成本。
超高效率： 单晶YAG:Ce荧光片可以获得***佳照明表现，可以把后向散射降到***小，使得发射效率***大化。
Ce:YAG单晶荧光片表面增加了微小凹坑，成为扩散中心，产生的荧光光子*容易向上发射。
Ce:YAG单晶荧光片有效控制表面粗糙度，表面和边缘平坦极大减少反射的光子，进而提高发射效率。
精细荧光单晶片穿孔允许光子反弹到荧光片或小孔边缘，竖直方向发射出去，提供光子激发效率。
LED用Ce:YAG晶体应用
Ce:YAG单晶荧光片可以制成适合LED工业应用的各种类型，为不含树脂的高功率LED而设计。其中平板形荧光片和半圆形荧光片非常适合不同的LED使用。
Ce:YAG单晶荧光片非常适合拾放机器人操作，添加到单个或多个LED上。平板形或圆顶形荧光片提供了标准的结构，使得固定位置安装极为方便。
 圆顶形荧光片和镜片组成整体的高效组合           荧光片可被加工成带有连接器（切口或针孔）的特定形状

设计实例
Ce:YAG荧光片数据
荧光片尺寸可根据LED设计和物理特性而自由加工，生产尺寸范围从十几微米到毫米单位的大小。

Ce:YAG荧光片加工过程
标准LED荧光片尺寸是1x1mm截面积，250微米厚度，  半圆形荧光片：直径为1.4mm
荧光粉 /夜光粉/ 闪烁粉---YAG:Ce和YAP:Ce
我们提供*质进口YAG:Ce和YAP:Ce荧光粉，这些荧光粉由高质量闪烁体单晶直接加工而成。晶体颗粒均匀，在LED和液体闪烁技术中广泛使用。比如，这种荧光粉可用于液相色谱法对14C和3H的检测。
荧光粉颗粒规格：
   0 – 30 um
   30 – 50 um
   50 – 70 um
   70 – 90 um
       90 – 125 um
其他粒径的规格可根据要求加工。颗粒表面可按用户要求蚀刻，也可覆盖钝化层，防止背景增加。
其它荧光粉
P43 – GOS，P43 – Gd2O2S:Tb 是常用于X射线照相技术的发光磷光体材料，具有较高的原子量，发射峰值与光电二极管匹配。
Peak emission:         544 nm
Emission decay time:       1 ms
Zeff:          61.1
Density:   7.34 g/cm3

P47 , P47 – Y2SiO5:Ce是一种常用于电镜上的荧光体材料。
Peak emission:         400 nm
Emission decay time:       100 ns
Zeff:          33
Density:   4.5 g/cm3

P46 – YAG，全称YAG – Y3Al5O12:Ce， 是一种常用于探测X射线或紫外线已经电子辐射的荧光体材料,  也常用于InGaN发光二极管。
Peak emission:         550 nm
Emission decay time:       60 ns
Zeff:          32.0
Density:   4.55 g/cm3