光刻是通过光照射投影的方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形刻在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。利用旋涂技术，将光刻胶均匀涂布在硅片表面
通过掩模曝光后，曝光部分的光刻胶会发生化学反应，大的光刻胶分子分解成较小的分子。下一步显影，将硅片浸入有机溶剂中以除去已曝光光刻胶区域，溶剂仅溶解在曝光过程中产生的小分子，后使用两种方法将图案转移到硅片上。一种方法是蚀刻，将硅片从蚀刻后未涂覆光刻胶的图案区域化学去除，去除剩余的光刻胶以揭示蚀刻到硅片表面的图案。另一种方法是剥离，其中在整个硅片上沉积金属层，然后去除光刻胶，使金属与之成为wei一的区域。金属涂层是所需的图案，其中在显影步骤中先前已除去了光刻胶。