化学气相沉积炉（CVD系统）是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

　　高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

　　产品特点：

　　1、沉底材料可采用铜箔、石墨等；

　　2、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境；

　　3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维，不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝，温场均匀，能耗低；

　　4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作；

　　5、气路系统采用两路质量流量计（可拓展多路），配预混系统；

　　6、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6；

　　7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制；

　　8、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。

化学气相沉积炉（CVD系统）技术参数：