可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

一、KC-2型可控硅测试仪简介

　　KC-2型可控硅测试仪（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦测试仪），是2005年研究设计成功的

一种新颖的数字显示式多功能半自动可控硅和可控硅光电耦合器参数测试装置。

　　１、它可以测量小至TO-92封装大至TO-3P封装的各种电流等级的塑封单、双向可控硅（晶闸管）。

　　２、专门设计了0-1O00uA的触发电流量程，可以直接测量MCR100-6等微安级触发电流的可控硅。

　　３、可以测量DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器。

　　４、可以测量200A以下的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块。

　　５、测试触发电流和触发电压时无需人工调节，可控硅插入测试座后仪器会自动的调节至触发值，并稳定的显示触发电流 IGT / 触发电压 VGT。

　　６、测试可控硅耐压参数时只需一次性调节好zui高输出电压值，以后每测一个管子只要按下高压按钮即可显示该可控硅的耐压值。

　　该仪器主要用于可控硅使用厂家对可控硅元件的质量检验、参数的配对、可控硅设备的维修之用。仪器

还可以广泛的应用于对多种电子元器件的高低压耐压的测试。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、使用安全方便。

二、主要技术性能

　　1、可控硅触发电流IGT
测量范围： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　2、可控硅触发电压VGT测量范围：
0—5V， 精度：≤5 % 。

　　3、可控硅光耦输入端LED触发电流IFT测量范围：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　4、可控硅光耦输入端LED触发电压VFT测量范围：0—3V 精度：≤5 % 。

　　5、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向不重复峰值电压VDSM/VRSM测量范围： 0—2KV精度：≤3 % 。

　　6、可控硅和可控硅光耦输出端，正反向重复峰值电压VDRM/VRRM测量范围： 0—1.6KV精度：≤5 % 。
三、主要测试功能

　　1、全系列单双向塑封可控硅触发电流IGT、触发电压VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM

的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。

　　2、DIP-6、DIP-4封装的过零和非过零检测可控硅输出的光电耦合器和DIP-6封装的单向可控硅输出的光电耦合器输入LED端IFT / VFT的测试，输出端可控硅正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM /VRRM的测试。

　　3、电流在200A以内，VDSM / VRSM在2KV以内，触发电流在120mA以内的螺铨型单、双向可控硅和可控硅组合模块的触发电压IGT、触发电流VGT的测试，正反向不重复峰值电压VDSM / VRSM的测试，正反向重复峰值电压VDRM / VRRM的测试。

　　4、2KV以内的各类二极管、三极管、达林顿管、整流桥、MOS场效应管、IGBT及各种模块的耐压测试。

　　5、2KV以内的压敏电阻、稳压管、双向触发二极管等电压值的测试。