气相外延生长技术是在VPE基础上发展起来的，是以族元素的有机化合物和氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种-V族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

　　在气相外延生长技术中，氢气可以担当载气，将III(II)金属有机物和V(VI)族氢化物以及掺杂源携带运输到反应室内，为化学沉积反应和薄膜生长提供基础，要求氢气纯度≥99.999%(≥5N)，压力为4-7bar，而高纯度氢气发生器所产氢气可以符合这一领域的用气需求。同时，氢气纯度稳定不变，减少了氢气纯度波动对设备的影响。

　　此外，设备操作便捷，保障氢气供应连续不间断，用户无需担心氢气用完，也无需和高压气体钢瓶接触，发生器自动运行，无需额外人工操作。发生器自动侦测自身工作状态和错误，一旦侦测异常即发生。