(FT838D外推,FT838NB内置)USB 驱动IC
时间:2015-08-31 阅读:2018
(FT838D外推,FT838NB内置)USB 驱动IC FMD(辉芒微)代理价格优势,!
FT838D分为FT838D1,FT838D2
FT838NB分为FT838NB1,FT838NB2
FT838D特点:
1、满足能源之星2.0和5能效;
2、内置NPN;
3、批量输出电压精度电流精度±5%以内;
4、保护功能齐,可靠性好;
5、满足EN55022 ClassB EMI要求
FT838NB特点:
1、满足能源之星2.0和5能效;
2、批量输出电压精度电流精度±5%以内;
3、保护功能齐,可靠性好;
4、满足EN55022 ClassB EMI要求
FT838D的介绍:
、应用:充电器、适配器
FT830D(不带) ft831d(带线损补偿)
FT832DB (带线损及转灯功能)
FT838D (外置)
FT838NB (内置)
FT830系列
二、应用:LED
FT830A/D 外置1-18w 封装:sot23-5 精度:10% 效率:85%以上
FT838R 外置---和830a类似 封装:sot23-5 方案还没出来 10w
FT838RNA 内置(三极管)—6w以下 封装:sop-8 精度:5%
应用于: (1-3w, 3-6w)led驱动电源 3w bom 精度比830高,
FT838D 是FT831D的升版,,改善噪音,提高精度,待机功率100mw
FT825 高pf+psr 过ce 隔离 60w以内 工作效率88%以上,pf值:0.95
应用于:18w (灯管 t8/t5 天花灯)
应用于:7-9 12w (球泡)
FT838D的型号特点:
特点:
? 节能模式:脉冲频率调制控制模式(PFM)
? 内置抖频功能来改善 EMI性能
? 每个开关周期的电流限制
? VCC过压保护(OVP)
? 欠压锁定(UVLO)
? 输出短路保护
? 内置输出线损补偿
? 输入线电压补偿以提高输出电流精度
FT838D的芯片版本与管脚定义:
芯片版本 | 线损补偿比例 |
FT838D0 | 0% |
FT838D1 | 3% |
FT838D2 | 6% |
FT838D3 | 9% |
FT838D内置输出线损补偿,用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。
FT838NB是适用于5V1A的充电器设计方案,适用于5W的充电器方案,电压输入范围适用于世界各地,精简的尺寸为更小巧的设计打下了基础,且为过五能效以及满足能源之星2.0,其空载电压也是小于100mA,纹波也是控制在100mVp之下,保护功能齐,可靠性好,为充电器的稳定性提供了保障,延长了充电器的使用寿命。
1) 交流输入电压范围 90-264Vac 50/60Hz
2) 直流输出 5V/1.0A
3) 满足能源之星2.0和5能效的要求并有足够的余量(板端数据)
(实测平均效率在PCB 板端73.5%以上,能源之星2.0 标准是68.17%)
4) 满足空载功耗小于100mW (实测70mW@230Vac)
5) 满足EMI EN55022 Class B的要求,并有足够的余量
6) zui大的输出纹波小于100mVP-P
7) 系统批量生产保证输出电压精度在±5%以内,输出电流精度在±5% 以内
8) 自恢复的短路保护和环路开路保护
FMD现推出了FT838MBD、FT839NB、FT839MB三种充电器方案
FT838MBD
1、率 ≥78.7% @115V/230V;
2、低待机功耗 <120mW;
3、输出纹波噪音低 <80mV;
4、内置MOS,DIP8封装,IC温升低,外围元件少,成本低;
5、在五能效标准基础上有充足的效率余量;
FT839NB
1、率,可满足六能效标准;
2、低待机功耗<80mW@264Vac;
3、输出CV/CC精度 <±5%;
4、内置NPN,外围元件少,系统成本低;
5、保护功能齐,可靠性好;
6、满足EN55022 ClassB EMI要求;
FT839MB
1、率,可满足六能效标准;
2、低待机功耗<80mW@264Vac;
3、输出CV/CC精度 <±5%;
4、内置MOS,SOP-8,外围元件少,系统成本低;
5、保护功能齐,可靠性好;
6、满足EN55022 ClassB EMI要求;