当今，赛米控的碳化硅功率模块具有丰富的连接技术

当今，赛米控的碳化硅功率模块具有丰富的连接技术，较宽的输出功率范围和zui高的效率等特征。如今已经有四种不同封装形式的混合和全碳化硅（SiC）功率模块可订购，每种封装形式都*特色。

碳化硅功率模块的优点

赛米控的混合碳化硅功率模块是一种易于实现减少功耗并且增加开关频率的方案。它们结合IGBT技术采用碳化硅肖特基二极管。

全碳化硅功率模块必须采用碳化硅（SiC）MOSFET开关管以实现效率大于99%，zui小的功耗以及zui大的输出功率和功率密度。由于MOSFET具有体二极管，所以在任何情况下都不需要外部反并联二极管，随着效率的增加 优势将更加明显。赛米控提供的功率模块采用的供应商的碳化硅芯片，经受了的赛米控的质量和可靠性的检测。

碳化硅功率模块的关键特性

• 增加的开关频率使得滤波元件实现*化并且降低了成本
• 降低的功率损耗实现了效率的增加并且通过使用更小的冷却设备降低了系统成本和尺寸
• 的供应商的的碳化硅芯片
• 为您的应用提供采用*化的芯片组的多种封装和连接技术

碳化硅功率模块的应用

碳化硅功率模块拥有的技术，用它搭建的系统具有技术上和商业上的优势。 随着开关频率的增加，升压应用中的滤波元件choke电感或者电源，UPS或者光伏逆变器负载端滤波器将大幅减小。另外，功率损耗的降低使得在冷却系统中可以使用更低功率的风扇，更小的散热器或者将以前的强制风冷应用改为自然对流冷却的形式，节省了冷却成本。zui终，整个系统的效率将被zui大化以实现现代功率转换系统的需求。

混合碳化硅模块：
在高开关频率时效率高

• 混合碳化硅模块结合快速开关IGBT芯片采用碳化硅肖特基续流二极管
• 主要减小开关损耗并且增加效率
• 将1200V,450A分别采用中等功率IGBT4以及碳化硅续流二极管和快速IGBT4以及碳化硅肖特基二极管的SKiM93做对比：
• 效率从96%增加到98.3%
• 输出功率增加50%达到110KW

全碳化硅模块：
在高频下功率输出增加150%

• 全碳化硅模块采用一代的碳化硅MOSFET，带或者不带碳化硅肖特基续流二极管
• zui大程度的降低了开关损耗并且由于MOSFET的特性在低负载条件下降低了静态损耗
• 将1200V,20A采用低功率IGBT4以及碳化硅MOSFET带或者不带续流二极管的MiniSKiiP做比较：
• 效率增加超过99%
• 输出功率增加超过100%