美国阿拉巴马大学中国人教授宋金会领导的科研小组，研制出像素尺度仅为50纳米的新式图画传感器，大幅度打破了当时数字图画传感器像素尺度为1000纳米的极限。该研讨近来发表在资料类科学期刊上。

　　自数字图画传感器创造以来，研讨者们想尽全部方法来减小像素尺度，以进步数字图画传感器的分辨率。如今，数字图画传感器CCD和CMOS的zui小像素尺度分别为1.43微米和1.12微米。受半导体薄膜资料物理性质与数字图画传感器传统构造的约束，这么的像素尺度已挨近物理极限。若持续减小尺度，像素将失掉感光功用。

　　宋金会表示，当时数字图画传感器分辨率的打破，必须要从传感器资料和构造两方面进行*的改造，而不能仅靠对原器材构架和资料的改善。

　　为此，宋金会科研小组利用三维半导体纳米资料，选用*不同于当时数字图画传感器的器材机理，新研制出的纳米半导体光电资料和三维器材构造，实现了光强传感和放大两层功用，进一步减小了像素平面面积，极大降低了传感器噪音。假如按当时盛行的全幅相机传感器尺度为规范，新式传感器将具有惊人的3000多亿像素，是如今传感器的10000倍。其具有的超高分辨率将对图画信息存储、超分辨显微、光与物质相互作用以及光子计算机等一系列主要的技术科学范畴发生巨大影响。

　　下一步，研讨人员将在这一新式传感器基础上，研讨全彩色、高响应速度的超高精度数字图画传感器，并以此推动其在基础科学与技术范畴的使用。