基本结构

　　·硅光电晶体管型号和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。

　　· 光电晶体管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。

　　· 制作材料一般为半导体硅，管型为NPN型，

　　· 光电晶体管的灵敏度比光电二极管高，输出电流也比光电二极管大，多为毫安级。

　　· 但它的光电特性不如光电二极管好，在较强的光照下，光电流与照度不成线性关系。

　　· 所以光电晶体管多用来作光电开关元件或光电逻辑元件。

　　· 正常运用时，集电极加正电压。因此，集电结为反偏置，发射结为正偏置，集电结为光电结。

　　· 当光照到集电结上时，集电结即产生光电流Ip向基区注入，同时在集电极电路即产生了一个被放大的电流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β为电流放大倍数。

　　因此，光电晶体管的电流放大作用与普通晶体管在上偏流电路中接一个光电二极管的作用是*相同的。

　　工作原理

　　这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成N—P—N结构的。管芯基区面积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样，入射光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两端加上一个正向电压，从而引起了倍率为β+1(相当于三极管共发射极电路中的电流增益)的电子注入，这就是硅光电晶体管型号的工作原理。