HT1104 高温四重组装超低输入偏置电流运算放大器

额定温度：-55℃至+255℃
单流或分流运算
共模输入电压范围包括电源负限
低输入偏置与补偿参数
输入/输出过载保护
高输入阻抗和超低偏置电流
电介质分离的无闭锁设计
密封14引线陶瓷DIP

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HT1204 高温四重组模拟开关

额定温度：-55℃到+225℃
225℃时zui大渗漏为500nA
低控制输入电流
线性度高
开关之间串扰低
密封14引线陶瓷DIP
电介质分离的无闭锁设计
单个开关控制
CMOS逻辑电平
 

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HT506/HT507 高温模拟多路复用器 16通道单/8通道双

额定温度范围-55℃到+225℃
先断后合开关
无闭锁
I225℃时电阻400
I225℃时8通道漏电1.2A
分离或单一供电性能
 

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HTANFET 高温N沟道电源场效应晶体管

额定温度：-55℃至+225℃
持续输出电流可达1Amp
典型输入电压可达90V
绝缘层上覆硅（SOI）
4引脚电源带式封装或
带整体散热器的8引脚陶瓷Dip

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HTPLREG 高温正线性稳压器

额定温度范围： -55℃至+225℃
输出电流可达300mA
校准+15,+10和+5V输出
输入电压可达-28V
静态电流3.0mA
电流极限和短路保护
密封4-引脚封装

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HTCCG 高温晶体时钟发生器

额定温度：-55℃至+225℃
与CMOS/TTL 相匹配
输出频率24KHz-20MHz
被2,4,8 分开
单5V 供电电源
密封14引脚陶瓷DIP
与外部晶体接口

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HT6256 高温静态存储器

额定温度：-55℃至+225℃
用THMOSTM IV绝缘层上覆硅生产
读取/写入循环时间 50ns支持20MHz时钟
异步操作
输入/输出缓冲器
单5V 10%供电电源
密封28引线陶瓷DIP

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HT83C51 高温83C51微控制器

IHTMOS额定温度：-55℃至+225℃
优化8-bit CPU用于5V控制用途
四个8-bit双向平行端口
三个带有一个递增/递减定时器/计数器和时钟输出的16-bit定时器/计数器
可编程计数器阵列
带有七个源极和四个优先级的中断结构
半双方的可编程串行端口带有~成帧误差检测~自动地址识别 I64k外部程序存储器地址空间

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