接上文，上文中我们谈到了关于集成电路的盐雾试验，得到的结论是在3%之间的盐溶液时腐蚀是zui大的，那么从此试验中我们还可以了解哪些知识呢，请看小编接着为您讲解：

由图可知，随着盐浓度的增大，腐蚀速度开始是与浓度成正比的，但当浓度超过3%后，腐蚀速度与浓度的关系是反比的，即反应速度随盐浓度的增加而降低。氧的溶解度与浓度成反比关系。这是由于在一定温度条件下，腐蚀速度是由两个主要的因素，即盐浓度与溶解在溶液中的氧含量来控制的。当溶液中氧的含量能满足电化学反应时，腐蚀速度受盐浓度控制，即Cl离子浓度越大，发生的反应越强。当浓度超过3%后，随浓度的增加，溶解的氧的含量降低，不能满足电化学反应的需要，这时，腐蚀速度是受溶液中氧的含量来控制。虽然

Cl离子浓度变大，但此时起主要作用的是氧,所以腐蚀速度随浓度的增加而变小。